[发明专利]用于发光二极管的{20-2-1}半极性氮化镓的PEC蚀刻无效
| 申请号： | 201380045358.X | 申请日： | 2013-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN104662678A | 公开（公告）日： | 2015-05-27 |
| 发明（设计）人： | C-T·许;C-Y·黄;Y·赵;S-C·黄;D·F·费泽尔;S·P·丹巴瑞斯;S·纳卡姆拉;J·S·斯派克 | 申请（专利权）人： | 加利福尼亚大学董事会 |
| 主分类号： | H01L33/16 | 分类号： | H01L33/16;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 赵蓉民;张全信 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在半极性{20-2-1}III-氮化物半导体的暴露的表面上进行光电化学(PEC)蚀刻的方法，用于提高来自在半极性{20-2-1}III-氮化物半导体上或上方形成的一个或多个活化层的光提取和用于增强在半极性{20-2-1}III-氮化物半导体上或上方形成的一个或多个活化层的外部效率。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 发光二极管 20 极性 氮化 pec 蚀刻 | ||
【主权项】：
制造发光器件的方法，包括：在半极性{20‑2‑1}III‑氮化物半导体的暴露的表面上进行光电化学(PEC)蚀刻，用于提高来自在半极性{20‑2‑1}III‑氮化物半导体上或上方形成的一个或多个活化层的光提取和用于增强在半极性{20‑2‑1}III‑氮化物半导体上或上方形成的一个或多个活化层的外部效率。
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