[发明专利]用于发光二极管的{20-2-1}半极性氮化镓的PEC蚀刻

说明书

相关申请的交叉引用

在35U.S.C 119(e)章下，本申请要求以下共同未决和共同转让的专利申请的益处：

2012年8月30日由Chung-Ta Hsu、Chia-Yen Huang、Yuji Zhao、Shih-Chieh Haung、Daniel F.Feezell、Steven P.DenBaars、Shuji Nakamura 和James S.Speck提交的标题为“PEC ETCHING OF{20-2-1}SEMIPOLAR GALLIUM NITRIDE FOR SEMIPOLAR FOR EXTERNAL EFFICIENCY ENHANCEMENT IN LIGHT EMITTING DIODE APPLICATIONS”，代理人编号为30794.466-US-P1(2013-034-1)的美国临时专利申请序列号61/695,124；

该申请通过引用并入本文。

该申请涉及以下共同未决和共同转让的专利申请：

2011年10月27日由Yuji Zhao、Junichi Sonoda、Chih-Chien Pan、Shinichi Tanaka、Steven P.DenBaars和Shuji Nakamura提交的标题为“HIGH POWER,HIGH EFFICIENCY AND LOW EFFICIENCY DROOP III-NITRIDE LIGHT-EMITTING DIODES ON SEMIPOLAR{20-2-1}SUBSTRATES”代理人编号为30794.403-US-U1(2011-258-2)的美国实用新型专利申请序列号13/283,259，在35U.S.C 119(e)章下该申请要求2010年10月27日由Yuji Zhao、Junichi Sonoda、Chih-Chien Pan、Shinichi Tanaka、Steven P.DenBaars和Shuji Nakamura提交的标题为“HIGH POWER,HIGH EFFICIENCY AND LOW EFFICIENCY DROOP III-NITRIDE LIGHT-EMITTING DIODES ON SEMIPOLAR{20-2-1}SUBSTRATES”代理人编号为30794.403-US-P1(2011-258-1)的共同未决和共同转让的美国临时专利申请序列号61/407,357的益处；

2012年4月30日由Yuji Zhao、Shinichi Tanaka、Chia-Yen Huang、Daniel F.Feezell、James S.Speck、Steven P.DenBaars和Shuji Nakamura提交的标题为“HIGH INDIUM UPTAKE AND HIGH POLARIZATION RATIO FOR GROUP-III NITRIDE OPTOELECTRONIC DEVICES FABRICATED ON A SEMIPOLAR{20-2-1}PLANE OF A GALLIUM NITRIDE SUBSTRATE”代理人编号为30794.411-US-U1(2011-580-2)的美国实用新型专利申请序列号13/459,963，在35U.S.C 119(e)章下该申请要求2011年4月29日由Yuji Zhao、Shinichi Tanaka、Chia-Yen Huang、Daniel F.Feezell、James S.Speck、Steven P.DenBaars和Shuji Nakamura提交的标题为“HIGH INDIUM UPTAKES AND HIGH POLARIZATION RATIO ON GALLIUM NITRIDE SEMIPOLAR{20-2-1}SUBSTRATES FOR III-NITRIDE OPTOELECTRONIC DEVICES”，代理人编号为30794.411-US-P1(2011-580-1)的共同未决和共同转让的美国临时专利申请序列号61/480,968的益处；

所有这些申请通过引用并入本文。

发明背景

1.发明领域

本发明一般地涉及用于发光二极管(LED)应用的外部效率提高的{20-2-1}半极性GaN的光电化学(PEC)蚀刻。

2.相关领域描述