[发明专利]用于发光二极管的{20-2-1}半极性氮化镓的PEC蚀刻

权利要求书

1.制造发光器件的方法，包括：

在半极性{20-2-1}III-氮化物半导体的暴露的表面上进行光电化学(PEC)蚀刻，用于提高来自在半极性{20-2-1}III-氮化物半导体上或上方形成的一个或多个活化层的光提取和用于增强在半极性{20-2-1}III-氮化物半导体上或上方形成的一个或多个活化层的外部效率。

2.根据权利要求1所述的方法，其中进行所述光电化学蚀刻以将所述半极性{20-2-1}III-氮化物半导体的所述暴露的表面成形、形成图像或粗糙化。

3.根据权利要求1所述的方法，进一步包括选择范围从大约0.001M到大约1M的KOH浓度作为用于所述光电化学蚀刻的电解质，以获得范围从大约到大约的所述暴露的表面的蚀刻速率。

4.根据权利要求3所述的方法，其中对于选择的大约0.001M的KOH浓度，所述暴露的表面的所述蚀刻速率是大约

5.根据权利要求3所述的方法，其中对于选择的大约0.01M的KOH浓度，所述暴露的表面的所述蚀刻速率是大约

6.根据权利要求3所述的方法，其中对于选择的大约0.1M的KOH浓度，所述暴露的表面的所述蚀刻速率是大约

7.根据权利要求3所述的方法，其中对于选择的大约1M的KOH浓度，所述暴露的表面的所述蚀刻速率是大约

8.根据权利要求1所述的方法，进一步包括选择范围从大约0.001M到大约1M的KOH浓度作为用于所述光电化学蚀刻的电解质，以获得范围从大约20nm到大约150nm的所述暴露的表面的均方根(RMS)粗糙度。

9.根据权利要求8所述的方法，其中对于选择的大约0.001M的KOH浓度，所述暴露的表面的所述RMS粗糙度是大约20nm。

10.根据权利要求8所述的方法，其中对于选择的大约0.01M的KOH浓度，所述暴露的表面的所述RMS粗糙度是大约150nm。

11.根据权利要求8所述的方法，其中对于选择的大约0.1M的KOH浓度，所述暴露的表面的所述RMS粗糙度是大约100nm。

12.根据权利要求8所述的方法，其中对于选择的大约1M的KOH浓度，所述暴露的表面的所述RMS粗糙度是大约120nm。

13.根据权利要求1所述的方法，其中所述半极性{20-2-1}III-氮化物半导体包含生长在(20-2-1)半极性GaN衬底上的一个或多个外延氮化镓(GaN)层。

14.通过权利要求1所述的方法蚀刻的半极性{20-2-1}III-氮化物半导体。

15.发光装置，包括：

具有暴露的表面的半极性{20-2-1}III-氮化物半导体，所述暴露的表面是光电化学(PEC)蚀刻的表面；以及

在所述半极性{20-2-1}III-氮化物半导体上或上方形成的一个或多个活化层；

其中所述光电化学蚀刻的表面提高了来自所述活化层的光提取和增强所述活化层的外部效率。

16.根据权利要求15所述的装置，其中所述半极性{20-2-1}III-氮化物半导体包含生长在(20-2-1)半极性GaN衬底上的一个或多个外延氮化镓(GaN)层。