[发明专利]具有基于锗的有源区及其释放蚀刻钝化表面的非平面半导体器件

摘要

说明了一种具有基于锗的有源区及其释放蚀刻钝化表面的非平面半导体器件。例如，一种半导体器件包括布置在衬底上的多条富锗纳米线的垂直排列。每一条纳米线都包括沟道区，所述沟道区具有硫钝化外表面。栅极叠置体布置在每一条富锗纳米线的沟道区上并完全包围所述沟道区。所述栅极叠置体包括栅极电介质层和栅极电极，所述栅极电介质层布置在所述硫钝化外表面上，并包围所述硫钝化外表面，所述栅极电极布置在所述栅极电介质层上。源极区和漏极区布置在富锗纳米线的沟道区的任一侧上。

主权项

一种制造基于纳米线的半导体结构的方法，所述方法包括：在衬底之上形成富硅释放层；在所述富硅释放层上形成富锗有源层；从所述富锗有源层形成富锗纳米线；蚀刻所述富硅释放层的至少一部分，以形成用于所述富锗纳米线的分离的沟道区，所述蚀刻包括：蚀刻所述富硅释放层的所述部分，同时钝化所述富锗纳米线的暴露出部分，所述钝化包括对所述富锗纳米线的暴露出部分进行硫钝化；以及形成栅极电极叠置体，所述栅极电极叠置体完全包围所述富锗纳米线的所述分离的沟道区。