[发明专利]具有基于锗的有源区及其释放蚀刻钝化表面的非平面半导体器件

权利要求书

1.一种制造基于纳米线的半导体结构的方法，所述方法包括：

在衬底之上形成富硅释放层；

在所述富硅释放层上形成富锗有源层；

从所述富锗有源层形成富锗纳米线；

蚀刻所述富硅释放层的至少一部分，以形成用于所述富锗纳米线的分离的沟道区，所述蚀刻包括：蚀刻所述富硅释放层的所述部分，同时钝化所述富锗纳米线的暴露出部分，所述钝化包括对所述富锗纳米线的暴露出部分进行硫钝化；以及

形成栅极电极叠置体，所述栅极电极叠置体完全包围所述富锗纳米线的所述分离的沟道区。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，蚀刻所述富硅释放层的所述部分，同时钝化所述富锗纳米线的暴露出部分包括：以包含重量10％的(NH₄)₂S的水溶液的湿蚀刻剂进行蚀刻。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，以所述湿蚀刻剂进行蚀刻包括：在55-75摄氏度范围的温度下进行蚀刻。

4.根据权利要求2所述的方法，其中，以所述湿蚀刻剂进行蚀刻包括：在75摄氏度的温度下进行蚀刻。

5.根据权利要求2所述的方法，其中，以所述湿蚀刻剂进行蚀刻包括：对于所述富硅材料使用1纳米/分钟的蚀刻速率。

6.根据权利要求2所述的方法，其中，以所述湿蚀刻剂进行蚀刻包括：使用为9的pH值。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，钝化所述富锗纳米线的暴露出部分包括：形成末端硫-锗键合或桥接硫-锗键合，或者形成所述末端硫-锗键合和所述桥接硫-锗键合二者。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，钝化所述富锗纳米线的暴露出部分包括：不完全化学钝化所述富锗纳米线的所述暴露出部分，但充分电钝化所述富锗纳米线的所述暴露出部分，以禁止在对所述富硅释放层的蚀刻期间蚀刻所述富锗纳米线的所述暴露出部分。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，蚀刻所述富硅释放层的所述部分以形成所述分离的沟道区包括：以对实质上由锗组成的纳米线的选择性来蚀刻实质上由硅或硅锗组成的材料。