[发明专利]用于沉积材料的制造设备和用于其中的托座有效
| 申请号: | 201380036021.2 | 申请日: | 2013-07-09 |
| 公开(公告)号: | CN104411864B | 公开(公告)日: | 2017-03-15 |
| 发明(设计)人: | 马修·迪格;D·希拉布兰德;威廉·拉尔森 | 申请(专利权)人: | 赫姆洛克半导体公司 |
| 主分类号: | C23C16/24 | 分类号: | C23C16/24;C01B33/035;C23C16/44;C23C16/458 |
| 代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司11262 | 代理人: | 孙静,郑霞 |
| 地址: | 美国密*** | 国省代码: | 暂无信息 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本发明涉及一种制造设备,所述制造设备将材料沉积在承载体上。所述制造设备包括壳体,所述壳体限定腔室。所述壳体限定入口以用于将包含所述材料或其前体的沉积组合物引入所述腔室。所述壳体还限定出口,所述出口穿过所述壳体以用于从所述腔室排出所述沉积组合物。电极穿过所述壳体而设置,其中所述电极至少部分地设置在所述腔室内。托座具有外表面并连接到所述腔室内的所述电极以用于接纳所述承载体。剥离涂层设置在所述托座的所述外表面上以促进所述托座与所述承载体及其上沉积的所述材料的分离,从而收获所述承载体。 | ||
| 搜索关键词: | 用于 沉积 材料 制造 设备 中的 托座 | ||
【主权项】:
一种将材料沉积在承载体上的制造设备,所述设备包括:壳体,所述壳体限定腔室;入口,所述入口由所述壳体限定以用于将包含所述材料或其前体的沉积组合物引入所述腔室;出口,所述出口穿过所述壳体而限定以用于从所述腔室排出所述沉积组合物;电极,所述电极穿过所述壳体而设置,其中所述电极至少部分地设置在所述腔室内;托座,所述托座具有外表面并连接到所述腔室内的所述电极以用于接纳所述承载体;以及剥离涂层,所述剥离涂层设置在所述托座的所述外表面上以促进所述托座与所述承载体及其上沉积的所述材料的分离,从而收获所述承载体,其中所述剥离涂层呈现所述托座的修整表面,所述修整表面的表面粗糙度RA值为1至100微米,所述剥离涂层的所述修整表面的表面粗糙度RA值小于所述托座的所述外表面的表面粗糙度RA值。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于赫姆洛克半导体公司,未经赫姆洛克半导体公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201380036021.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





