[发明专利]用于沉积材料的制造设备和用于其中的托座

说明书

技术领域

本发明涉及一种用于将材料沉积在承载体上的制造设备。更具体地讲，本发明涉及一种在制造设备内支撑承载体的托座。

发明背景

用于将材料沉积在承载体上的制造设备在本领域中是已知的。常规制造设备包括托座，其设置在承载体的末端用于将承载体联接到在所述常规制造设备内的电极。然而，当将材料沉积在承载体上时，该材料也可沉积在托座上。例如，材料可直接沉积在托座上。或者，当将材料沉积在承载体上时，该材料可生长并扩展而包围托座的一部分。

一旦将所需量的材料沉积在承载体上后，即通过从常规制造设备移除承载体而收获所述承载体。随后，必须将托座与承载体分离，并且更具体地讲，必须将托座与沉积在承载体上的材料分离。通常，通过敲击托座附近或托座上的沉积材料以使沉积材料破裂而使托座与承载体及沉积材料分离。敲击沉积材料以将其移除的过程非常费时且成本高昂。另外，甚至在破裂后，一些沉积材料仍留在托座上。使托座上的沉积材料经受更猛烈的过程来分离沉积材料与托座。遗憾的是，该猛烈过程降低与托座分离的沉积材料的纯度，从而降低托座上的沉积材料的价值。因此，仍然需要在不降低沉积材料的纯度以保留沉积材料的价值的情况下使沉积材料与托座分离。

发明内容

制造设备将材料沉积在承载体上。所述制造设备包括壳体，所述壳体限定腔室。所述壳体限定入口以用于将包含所述材料或其前体的沉积组合物引入所述腔室。所述壳体还限定出口，所述出口穿过所述壳体以用于从所述腔室排出所述沉积组合物。电极穿过所述壳体而设置，其中所述电极至少部分地设置在所述腔室内。托座具有外表面并连接到所述腔室内的所述电极以用于接纳所述承载体。剥离涂层设置在所述托座的所述外表面上以促进所述托座与所述承载体及其上沉积的所述材料的分离，从而收获所述承载体。因此，可直接沉积在托座上的材料不必经受另外的分离过程以使沉积材料与托座分离，从而维持所述材料的纯度。

附图说明

将易于认识到本发明的其他优点，因为结合附图考虑时，通过参考以下具体实施方式可更好地理解相同内容，其中：

图1是用于将材料沉积在包括电极的承载体上的制造设备的剖视图，其中所述制造设备包括罐和基板；

图2是制造设备的一部分的放大视图，显示了邻近基板的罐；

图3是制造设备中所用的电极的透视图；

图4是沿图3中的线4-4截取的电极的一部分的剖视图，其中托座联接到所述电极；以及

图5是联接到承载体的托座的可供选择的实施例的剖视图。

具体实施方式

参见各图，其中在若干视图中，类似的数字表示类似或相应的部分，显示了用于将材料12沉积在承载体14上的制造设备10。换句话讲，在制造设备10的操作期间，将材料12沉积在承载体14上。例如，制备设备10可以为化学气相沉积反应器，诸如西门子(Siemens)型化学气相沉积反应器，用于将硅沉积到承载体14上以制备高纯度多晶硅。如西门子法(Siemens Method)所已知的是，承载体14可具有如图1所示的基本上U形的构型。然而，应当理解承载体14可具有除U形构型之外的构型。另外，当待沉积的材料12为硅时，承载体14通常为包含高纯度硅的细硅棒。硅沉积在细硅棒上以产生高纯度多晶硅。

参见图1，制造设备10包含壳体16。壳体16包括罐18和基板20。罐18联接至基板20以形成壳体16。壳体16的罐18具有至少一个壁22，其中壁22通常呈现壳体16的圆柱形构型。然而，应当理解壳体16的罐18可具有除圆柱形之外的构型，诸如立方构型。壳体16限定腔室24。更具体地讲，壳体16的罐18具有中空内部，以使得罐18的壁22限定腔室24。罐18具有敞开的末端26以允许通向腔室24。基板20联接至罐18的敞开末端26，以盖住罐18的末端26并密封腔室24。

壳体16限定入口28，以用于将包含待沉积的材料12或其前体的沉积组合物引入腔室24。类似地，壳体16可限定出口30，以允许将沉积组合物或其反应副产物从腔室24排出。应当理解，入口28和/或出口30可由壳体16的罐18或基板20限定。通常，入口管32连接到入口28以将沉积组合物输送到腔室24而排出管34连接到出口30以从腔室24移除沉积组合物或其反应副产物。

参见图2，壳体16可包括凸缘36，其从壳体16的壁22延伸。更具体地讲，凸缘36从壳体16的壁22横向延伸。通常，当基板20联接到壳体16时，凸缘36平行于基板20。可使用诸如螺栓的紧固件38将壳体16的凸缘36紧固至基板20。