[发明专利]用于沉积材料的制造设备和用于其中的托座

权利要求书

1.一种将材料沉积在承载体上的制造设备，所述设备包括：

壳体，所述壳体限定腔室；

入口，所述入口由所述壳体限定以用于将包含所述材料或其前体的沉积组合物引入所述腔室；

出口，所述出口穿过所述壳体而限定以用于从所述腔室排出所述沉积组合物；

电极，所述电极穿过所述壳体而设置，其中所述电极至少部分地设置在所述腔室内；

托座，所述托座具有外表面并连接到所述腔室内的所述电极以用于接纳所述承载体；以及

剥离涂层，所述剥离涂层设置在所述托座的所述外表面上以促进所述托座与所述承载体及其上沉积的所述材料的分离，从而收获所述承载体。

2.根据权利要求1所述的制造设备，其中所述托座包含石墨。

3.根据权利要求2所述的制造设备，其中所述剥离涂层为热解碳。

4.根据权利要求3所述的制造设备，其中沉积在所述承载体上的所述材料为硅。

5.根据权利要求2所述的制造设备，其中所述剥离涂层选自碳化硅、氮化硅、热解碳、石墨碳化硅、二氧化硅、碳化钽、碳化铌及其组合。

6.根据权利要求5所述的制造设备，其中所述剥离涂层的厚度为40至约100微米。

7.根据权利要求6所述的制造设备，其中所述剥离涂层呈现所述托座的修整表面，所述修整表面的表面粗糙度RA值为约1至约100微米。

8.根据权利要求1所述的制造设备，其中所述电极还包括轴和头部，其中所述头部限定杯而所述托座设置在所述杯内以将所述托座连接到所述电极。

9.根据权利要求1所述的制造设备，其中所述电极还被限定为第一电极并且所述托座还被限定为第一托座，而所述制造设备还包括连接到第二电极的第二托座，所述第二电极设置在腔室中。

10.一种与将材料沉积在承载体上的制造设备一起使用的托座，所述制造设备包括壳体，所述壳体限定腔室；入口，所述入口穿过所述壳体而限定以用于将包含所述材料或其前体的沉积组合物引入所述腔室；出口，所述出口穿过所述壳体而限定以用于从所述腔室排出所述沉积组合物；电极，所述电极穿过所述壳体而设置，其中所述电极至少部分地设置在所述腔室内，而所述托座连接到所述腔室内的所述电极以用于接纳所述承载体；所述托座包含剥离涂层，所述剥离涂层设置在所述托座的所述外表面上以促进所述托座与所述承载体及其上沉积的所述材料的分离，从而收获所述承载体。

11.根据权利要求10所述的托座，所述托座包含石墨。

12.根据权利要求11所述的托座，其中所述剥离涂层呈现所述托座的修整表面，所述修整表面的表面粗糙度RA值为约1至约100微米。

13.根据权利要求11所述的托座，其中所述剥离涂层选自碳化硅、氮化硅、热解碳、石墨碳化硅、二氧化硅、碳化钽、碳化铌及其组合。

14.根据权利要求12所述的托座，其中所述剥离涂层为热解碳。

15.根据权利要求12所述的托座，其中所述剥离涂层的厚度为40至约100微米。

16.一种制造具有剥离涂层的托座的方法，其中所述托座与将材料沉积在承载体上的制造设备一起使用，所述制造设备包括壳体，所述壳体限定腔室；入口，所述入口穿过所述壳体而限定以用于将包含所述材料或其前体的沉积组合物引入所述腔室；出口，所述出口穿过所述壳体而限定以用于从所述腔室排出所述沉积组合物；电极，所述电极穿过所述壳体而设置，其中所述电极至少部分地设置在所述腔室内，而所述托座连接到所述腔室内的所述电极以用于接纳所述承载体；所述方法包括以下步骤：将所述剥离涂层施加在所述托座的外表面上以促进所述托座与所述承载体及其上沉积的所述材料的分离，从而收获所述承载体。

17.根据权利要求16所述的方法，其中施加所述剥离涂层的所述步骤还被限定为使所述托座接受低压/高温CVD工艺，以将碳化硅或石墨碳化硅混合物沉积在所述托座的所述外表面上作为所述剥离涂层。

18.根据权利要求16所述的方法，其中施加所述剥离涂层的所述步骤还被限定为使所述托座接受大气压/高温CVD工艺，以将氮化硅沉积在所述托座的所述外表面上作为所述剥离涂层。