[发明专利]用于鳍式晶体管的高迁移率应变沟道有效
| 申请号： | 201380033774.8 | 申请日： | 2013-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN104412389B | 公开（公告）日： | 2019-07-16 |
| 发明（设计）人： | S·M·塞亚;A·S·默西;G·A·格拉斯;D·B·奥贝蒂内;T·加尼;J·T·卡瓦列罗斯;R·科特利尔 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 林金朝;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了用于将高迁移率应变沟道并入到鳍式晶体管(例如，诸如双栅极、三栅极等的FinFET)中的技术，其中将应力材料包覆到所述鳍状物的沟道区域上。在一个示例性实施例中，将硅锗(SiGe)包覆到硅鳍状物上以提供要求的应力，尽管也可以利用其它鳍状物和包覆材料。所述技术与典型的工艺流程兼容，并且包覆沉积可以发生在工艺流程内的多个位置处。在一些情况下，利用在所述沟道中压缩所述鳍状物和包覆层的源极/漏极压力源可以增强来自所述包覆层的内部应力。在一些情况下，可以提供可选的盖层以改进栅极电介质/半导体界面。在一个这种实施例中，在SiGe包覆层之上提供硅以改进栅极电介质/半导体界面。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 晶体管 迁移率 应变 沟道 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：衬底上的硅鳍状物，所述鳍状物具有沟道区以及与所述沟道区相邻的相应的源极/漏极区，其中所述源极/漏极区位于所述鳍状物的侧部和顶部；在所述鳍状物的所述沟道区的一个或多个表面上的锗或SiGe的包覆层；所述包覆层之上的栅极电介质层；所述栅极电介质层上的栅极电极；以及所述源极/漏极区中的每个源极/漏极区中的源极/漏极材料，其中，所述源极/漏极材料是SiGe，其中所述源极/漏极材料和所述包覆层被配置为增强所述沟道区内的应力。
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