[发明专利]用于鳍式晶体管的高迁移率应变沟道有效
| 申请号： | 201380033774.8 | 申请日： | 2013-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN104412389B | 公开（公告）日： | 2019-07-16 |
| 发明（设计）人： | S·M·塞亚;A·S·默西;G·A·格拉斯;D·B·奥贝蒂内;T·加尼;J·T·卡瓦列罗斯;R·科特利尔 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 林金朝;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 晶体管 迁移率 应变 沟道 | ||
1.一种半导体器件，包括：
衬底上的硅鳍状物，所述鳍状物具有沟道区以及与所述沟道区相邻的相应的源极/漏极区，其中所述源极/漏极区位于所述鳍状物的侧部和顶部；
在所述鳍状物的所述沟道区的一个或多个表面上的锗或SiGe的包覆层；
所述包覆层之上的栅极电介质层；
所述栅极电介质层上的栅极电极；以及
所述源极/漏极区中的每个源极/漏极区中的源极/漏极材料，其中，所述源极/漏极材料是SiGe，其中所述源极/漏极材料和所述包覆层被配置为增强所述沟道区内的应力。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括所述包覆层与所述栅极电介质层之间的盖层。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述盖层包括硅，并且所述盖层具有至范围内的厚度。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述包覆层包括10％-90％的锗。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述衬底包括第一材料并且所述鳍状物包括与所述第一材料不同的第二材料。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述衬底包括硅层，并且所述包覆层是锗。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述包覆层覆盖所述鳍状物的侧部和顶部。
8.一种移动计算设备，其包括根据权利要求1至7中的任一项所述的半导体器件。
9.一种半导体器件，包括：
衬底上的硅鳍状物，所述鳍状物具有沟道区以及与所述沟道区相邻的相应的源极/漏极区，其中所述源极/漏极区位于所述鳍状物的侧部和顶部；
在所述鳍状物的所述沟道区的一个或多个表面上的锗或SiGe的包覆层；
所述包覆层上的盖层，其中，所述盖层包括硅；
所述盖层上的栅极电介质层；
所述栅极电介质层上的栅极电极；以及
所述源极/漏极区中的每个源极/漏极区中的源极/漏极材料，其中，所述源极/漏极材料是SiGe，其中所述源极/漏极材料和所述包覆层被配置为增强所述沟道区内的应力。
10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述包覆层包括10％-90％的锗。
11.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述衬底包括第一材料并且所述鳍状物包括与所述第一材料不同的第二材料。
12.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述衬底包括硅层，并且所述包覆层是锗。
13.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述包覆层是SiGe。
14.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述包覆层覆盖所述鳍状物的侧部和顶部，以便提供三栅极晶体管。
15.一种通信设备，其包括根据权利要求9至14中的任一项所述的半导体器件。
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