[发明专利]制造X射线平板检测器的方法和X射线平板检测器TFT阵列基板有效
| 申请号: | 201380031789.0 | 申请日: | 2013-04-11 |
| 公开(公告)号: | CN104396017B | 公开(公告)日: | 2018-08-24 |
| 发明(设计)人: | 岩田弘;池田光志 | 申请(专利权)人: | 东芝电子管器件株式会社 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L27/144 |
| 代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 宋静娴 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | 为了改进在制造X射线平板检测器时检查TFT阵列的准确度。制造X射线平板检测器的TFT阵列基板(30),公用引线环(32)被设置在其中形成TFT阵列(21)的X‑射线平板检测器的一部分的周围,且TFT阵列基板(30)经由具有相反极性的两个并联组而连接的一对保护二极管(34)连接至信号线(53)和扫描线(54)。当检查X射线平板检测器的TFT阵列基板(30)时,与检测电路的放大器的基准偏置电压相同的基准偏置电压从外部电压施加焊盘被施加,该外部电压施加焊盘被设置在信号线同一侧上的公用引线环和保护二极管的连接附近;用于导通薄膜晶体管(41)的信号被施加至扫描线连接焊盘(24);并且流过信号线(53)的电信号从信号线连接焊盘(23)被读取。 | ||
| 搜索关键词: | 制造 射线 平板 检测器 方法 tft 阵列 | ||
【主权项】:
1.一种制造X射线平板检测器的方法,包括:制造X射线平板检测器TFT阵列基板的平板制造工艺,所述TFT阵列基板包括绝缘基板、多个像素、扫描线、信号线、扫描线连接焊盘、信号线连接焊盘、共同互连环、保护二极管、以及外部电压施加焊盘,所述多个像素二维排列在所述绝缘基板的表面处,所述多个像素包括:薄膜晶体管、光电转换薄膜、以及与所述光电转换薄膜电连接的电容器,为所述多个像素的每一行设置所述扫描线,为所述多个像素的每一列设置所述信号线,所述扫描线连接焊盘被设置在所述扫描线的端部,所述信号线连接焊盘被设置在所述信号线的端部,所述共同互连环被设置在所述多个像素周围,所述保护二极管被设置在所述共同互连环和所述扫描线之间以及所述共同互连环和所述信号线之间,所述外部电压施加焊盘连接在位于信号线同一侧上的共同互连环和保护二极管的连接单元以及位于扫描线同一侧上的共同互连环和保护二极管的连接单元之间;以及检查所述X射线平板检测器TFT阵列基板的检查工艺,所述工艺是通过如下实现的:将基准偏置电压施加至所述外部电压施加焊盘、将信号提供至所述扫描线连接焊盘以导通所述薄膜晶体管、以及从所述信号线连接焊盘读取流过所述信号线的电信号。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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