[发明专利]制造X射线平板检测器的方法和X射线平板检测器TFT阵列基板

权利要求书

1.一种制造X射线平板检测器的方法，包括：

制造X射线平板检测器TFT阵列基板的平板制造工艺，所述TFT阵列基板包括绝缘基板、多个像素、扫描线、信号线、扫描线连接焊盘、信号线连接焊盘、共同互连环、保护二极管、以及外部电压施加焊盘，所述多个像素二维排列在所述绝缘基板的表面处，所述多个像素包括：薄膜晶体管、光电转换薄膜、以及与所述光电转换薄膜电连接的电容器，为所述多个像素的每一行设置所述扫描线，为所述多个像素的每一列设置所述信号线，所述扫描线连接焊盘被设置在所述扫描线的端部，所述信号线连接焊盘被设置在所述信号线的端部，所述共同互连环被设置在所述多个像素周围，所述保护二极管被设置在所述共同互连环和所述扫描线之间以及所述共同互连环和所述信号线之间，所述外部电压施加焊盘连接在位于信号线同一侧上的共同互连环和保护二极管的连接单元以及位于扫描线同一侧上的共同互连环和保护二极管的连接单元之间；以及

检查所述X射线平板检测器TFT阵列基板的检查工艺，所述工艺是通过如下实现的：将基准偏置电压施加至所述外部电压施加焊盘、将信号提供至所述扫描线连接焊盘以导通所述薄膜晶体管、以及从所述信号线连接焊盘读取流过所述信号线的电信号。

2.如权利要求1所述的制造X射线平板检测器的方法，其特征在于，所述保护二极管设置作为并联连接的一对，保护二极管对具有相互颠倒的极性。

3.如权利要求1或2所述的制造X射线平板检测器的方法，其特征在于，所述基准偏置电压与被提供给在检查工艺中用于电信号读取的放大器电路的偏置电压相同。

4.如权利要求1或2所述的制造X射线平板检测器的方法，其特征在于，所述外部电压施加焊盘被设置在位于信号线同一侧上的共同互连环与保护二极管的连接单元的两侧上。

5.如权利要求1或2所述制造X射线平板检测器的方法，其特征在于，所述外部电压施加焊盘被设置在位于信号线两侧的每一侧上的共同互连环与保护二极管的连接单元的附近。

6.如权利要求5所述的制造X射线平板检测器的方法，其特征在于，位于信号线同一侧上的共同互连环和保护二极管之间的连接部分之间的电阻小于共同互连环和连接至所述信号线的保护二极管之间的连接部分与共同互连环和连接至所述扫描线的保护二极管之间的连接部分之间的电阻。

7.如权利要求5所述的制造X射线平板检测器的方法，其特征在于，还包括连接互连，所述连接互连的电阻小于将所述外部电压施加焊盘附近连接至位于信号线的相对侧上的、在共同互连环和保护二极管之间的连接单元附近的共同互连环的电阻。

8.如权利要求1或2所述的制造X射线平板检测器的方法，其特征在于，还包括在所述检查工艺后形成覆盖像素的磷光层的磷光体成形工艺。

9.如权利要求1或2所述的制造X射线平板检测器的方法，其特征在于，还包括通过对位于所述共同互连环和所述信号线焊盘之间的以及位于所述共同互连环和所述扫描线焊盘之间的X射线平板检测器TFT阵列基板进行切割来切出所述X射线平板检测器TFT阵列基板的平板切割工艺。

10.如权利要求9所述的制造X射线平板检测器的方法，其特征在于，还包括：

在所述平板切割工艺后将栅极驱动电路连接至所述扫描线连接焊盘的工艺，所述栅极驱动电路驱动所述TFT；以及

在所述平板切割工艺后将信号读取电路连接至所述信号线连接焊盘的工艺，所述信号读取电路从所述电容器读取电荷信号。