[发明专利]制造X射线平板检测器的方法和X射线平板检测器TFT阵列基板

说明书

为了改进在制造X射线平板检测器时检查TFT阵列的准确度。制造X射线平板检测器的TFT阵列基板(30)，公用引线环(32)被设置在其中形成TFT阵列(21)的X‑射线平板检测器的一部分的周围，且TFT阵列基板(30)经由具有相反极性的两个并联组而连接的一对保护二极管(34)连接至信号线(53)和扫描线(54)。当检查X射线平板检测器的TFT阵列基板(30)时，与检测电路的放大器的基准偏置电压相同的基准偏置电压从外部电压施加焊盘被施加，该外部电压施加焊盘被设置在信号线同一侧上的公用引线环和保护二极管的连接附近；用于导通薄膜晶体管(41)的信号被施加至扫描线连接焊盘(24)；并且流过信号线(53)的电信号从信号线连接焊盘(23)被读取。

技术领域

本发明的实施例涉及制造X射线平板检测器的方法以及X射线平板检测器TFT阵列基板。

背景技术

近年，在医疗领域，患者利用多个医疗机构是常见的。在这种情形下，存在当在没有其它医疗机构的数据的情况下就无法执行准确治疗的可能性。因此，正朝向制作患者医疗数据的数据库的方向发展，以快速且准确地执行治疗。

期望还针对X射线成像的图像数据制作数据库。因此，期望对X射线成像图像进行数字化。在医疗X射线诊断设备中，常规地，已使用卤化银薄膜执行成像。为了对成像在卤化银薄膜上的图像数据数字化，必须在薄膜显影后由扫描仪等重新扫描所成像的薄膜，此举要求时间和精力。

最近，已实现一种方法，其中使用约一英寸的CCD相机来直接对图像进行数字化。然而，例如，当对肺部成像时，对大约40cm×40cm的区域进行成像，并因此必须聚集光的光学设备，并且设备不期望地是较大的。

作为解决这两种方法的问题的方法，已提出一种使用非晶硅薄膜晶体管(a-SiTFT)的间接转换X射线平板检测器。这种X射线平板检测器是一种间接转换X射线平板检测器，其中入射的X射线通过磷光体等被转换成可见光线，并且所转换的光通过每个像素的光电转换薄膜被改变为电荷。

在X射线平板检测器中，像素以阵列配置排列，该阵列配置具有每侧几百至几千像素的纵向侧和横向侧。每个像素包括由a-Si制成的开关TFT、光电转换薄膜、和电容器。以阵列配置排列的像素也被称为TFT阵列。

引用列表

专利文献

[专利文献1]

JP 2009-290171A

发明概述

本发明要解决的问题

在X射线平板检测器中使用的TFT阵列中形成静电保护二极管，以防止由于阵列构造过程中生成的静电引起的劣化和击穿。另一方面，由于TFT阵列中存在像素和互连的多种缺陷，因此执行检查以检测缺陷并去除缺陷阵列。去除缺陷阵列是必需的，因为在其中将缺陷阵列馈入到下一工艺的情形下，对该工艺和下一工艺中使用的组件会发生损耗。然而，保护二极管本身具有漏电流并因此降低了检查的精确性，并存在缺陷部件被不合需通过的可能性。

因此，实施例具有在制造X射线平板检测器的过程中改进TFT阵列的检查准确度的目的。

解决这些问题的手段