[发明专利]具备双稳态电路和非易失性元件的存储电路有效
申请号: | 201380025730.0 | 申请日: | 2013-02-19 |
公开(公告)号: | CN104321820B | 公开(公告)日: | 2017-03-01 |
发明(设计)人: | 周藤悠介;山本修一郎;菅原聪 | 申请(专利权)人: | 国立研究开发法人科学技术振兴机构 |
主分类号: | G11C11/15 | 分类号: | G11C11/15;G11C11/412;G11C14/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人: | 李国华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 存储电路具备双稳态电路(30),其存储数据;非易失性元件(MTJ1、MTJ2),其非易失性地存入在所述双稳态电路中存储的数据,将非易失性地存入的数据恢复至所述双稳态电路;和控制部,在不从所述双稳态电路进行数据的读出或写入的期间长于给定期间的情况下,非易失性地存入在所述双稳态电路中存储的数据,并切断所述双稳态电路的电源,在不进行所述数据的读出或写入的期间短于所述给定期间的情况下,不进行存储在所述双稳态电路中的数据的非易失性的存入,使所述双稳态电路的电源电压低于从所述双稳态电路进行数据的读出或写入的期间的电压。 | ||
搜索关键词: | 具备 双稳态 电路 非易失性 元件 存储 | ||
【主权项】:
一种存储电路,其特征在于,具备:双稳态电路,其存储数据;非易失性元件,其非易失性地存入被所述双稳态电路所存储的数据,将非易失性地存入的数据恢复至所述双稳态电路;和控制部,在不从所述双稳态电路进行数据的读出或写入的期间比给定期间长的情况下,将存储在所述双稳态电路中的数据非易失性地存入所述非易失性元件,并且切断所述双稳态电路的电源,在不进行所述数据的读出或写入的期间比所述给定期间短的情况下,不进行存储在所述双稳态电路中的数据向所述非易失性元件的非易失性的存入,而使所述双稳态电路的电源电压低于从所述双稳态电路进行数据的读出或写入的期间的电压。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国立研究开发法人科学技术振兴机构,未经国立研究开发法人科学技术振兴机构许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201380025730.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。