[发明专利]存储器件、半导体单元及其操作方法和电子设备

摘要

具有存储器件的半导体单元，所述存储器件各自包括：第一半导体层；第二半导体层和第三半导体层；第一介电膜和第一导电膜；分别与第二半导体层、第三半导体层以及第一导电膜连接的第一、第二和第三电极，所述第三电极电连接至所述第一电极。在所述存储器件中，在向所述第一电极和第二电极之间施加不低于预定阈值的电压时，在所述第二半导体层和第三半导体层之间的区域中形成丝，并由此进行信息的写入操作，所述丝为用于电连接所述第二半导体层和所述第三半导体层的导电路径。

主权项

一种半导体单元，其具有至少一个存储器件，所述至少一个存储器件各自包括：第一导电类型的第一半导体层；第二导电类型的第二半导体层和第三半导体层，所述第二半导体层和第三半导体层布置成在所述第一半导体层中彼此分离；第一介电膜和第一导电膜，二者均设置在所述第一半导体层上与所述第二半导体层和第三半导体层之间的区域相对应的区域中，所述第一介电膜位于低于所述第一导电膜的层中；第一电极，其与所述第二半导体层电连接；第二电极，其与所述第三半导体层电连接；第三电极，其与所述第一导电膜电连接，所述第三电极电连接至所述第一电极，其中，在所述至少一个存储器件中，在向所述第一电极和第二电极之间施加不低于预定阈值的电压时，在所述第二半导体层和第三半导体层之间的区域中形成丝，并由此进行信息的写入操作，所述丝为用于电连接所述第二半导体层和所述第三半导体层的导电路径。