[发明专利]存储器件、半导体单元及其操作方法和电子设备

权利要求书

1.一种半导体单元，其具有至少一个存储器件，所述至少一个存储器件各自包括：

第一导电类型的第一半导体层；

第二导电类型的第二半导体层和第三半导体层，所述第二半导体层和第三半导体层布置成在所述第一半导体层中彼此分离；

第一介电膜和第一导电膜，二者均设置在所述第一半导体层上与所述第二半导体层和第三半导体层之间的区域相对应的区域中，所述第一介电膜位于低于所述第一导电膜的层中；

第一电极，其与所述第二半导体层电连接；

第二电极，其与所述第三半导体层电连接；

第三电极，其与所述第一导电膜电连接，所述第三电极电连接至所述第一电极，其中，

在所述至少一个存储器件中，在向所述第一电极和第二电极之间施加不低于预定阈值的电压时，在所述第二半导体层和第三半导体层之间的区域中形成丝，并由此进行信息的写入操作，所述丝为用于电连接所述第二半导体层和所述第三半导体层的导电路径。

2.如权利要求1所述的半导体单元，其中，

至少一个选择晶体管以一一对应关系与所述至少一个存储器件串联连接，所述至少一个选择晶体管各自用于从所述所述至少一个存储器件中选取将被驱动的存储器件，并且

所述选择晶体管被导通，并由此在所述将被驱动的存储器件中的所述第一电极和所述第二电极之间生成不低于阈值的电位差。

3.如权利要求2所述的半导体单元，其中，在所述将被驱动的存储器件中，与所述将被驱动的存储器件相对应的所述选择晶体管被导通，以允许向所述第一电极和所述第二电极分别施加具有相反极性的电压，并由此在所述第一电极和所述第二电极之间生成不低于阈值的电位差。

4.如权利要求2所述的半导体单元，其中，在所述将被驱动的存储器件中，与所述将被驱动的存储器件相对应的所述选择晶体管被导通，从而不允许向所述第一电极和所述第二电极分别施加具有相反极性的电压，并由此在所述第一电极和所述第二电极之间生成不低于阈值的电位差。

5.如权利要求2所述的半导体单元，其中，所述至少一个选择晶体管各自包括：

第一导电类型的第四半导体层，

第二导电类型的第五半导体层和第六半导体层，所述第五半导体层和第六半导体层布置成在所述第四半导体层中彼此分离；

第二介电膜和第二导电膜，二者均设置在所述第四半导体层上与所述第五半导体层和所述第六半导体层之间的区域相对应的区域中，所述第二介电膜位于低于所述第二导电膜的层中；

第四电极，其与所述第五半导体层电连接；

第五电极，其与所述第六半导体层电连接；

第六电极，其与所述第二导电膜电连接，并且

所述至少一个存储器件各自中的所述第二电极与所述至少一个选择晶体管各自中的所述第五电极电连接。

6.如权利要求5所述的半导体单元，其中，在因写入操作而在所述将被驱动的存储器件中形成所述丝时，在与所述将被驱动的存储器件相对应的选择晶体管的所述第六半导体层和所述第四半导体层之间形成的寄生二极管被正向导通。

7.如权利要求5所述的半导体单元，其中，在所述第四半导体层中设置有电流提取部，在进行所述写入操作时，所述电流提取部用于局部地提取在所述将被驱动的存储器件和与所述将被驱动的存储器件相对应的选择晶体管之间流动的写入电流。

8.如权利要求5所述的半导体单元，其中，在所述第四半导体层中的所述第六半导体层周围设置有第二导电类型的扩散层。

9.如权利要求5所述的半导体单元，其中，

所述第一半导体层形成于第二类型的第七半导体层中，并且

所述第一半导体层通过所述第七半导体层与所述第四半导体层电分离。

10.如权利要求9所述的半导体单元，其中，在所述第二电极和所述第五电极之间的区域中，由所述第六半导体层、所述第四半导体层以及所述第七半导体层形成双极型晶体管。

11.如权利要求10所述的半导体单元，其中，在进行写入操作时所述双极型晶体管进行操作，并由此，在所述将被驱动的存储器件和与所述将被驱动的存储器件相对应的选择晶体管之间流动的写入电流通过所述双极型晶体管不仅流向所述第四半导体层，也流向所述第七半导体层。