[发明专利]导电性膜的形成方法有效
| 申请号： | 201380011944.2 | 申请日： | 2013-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN104160456B | 公开（公告）日： | 2016-10-26 |
| 发明（设计）人： | 下田达也;李金望 | 申请（专利权）人： | 独立行政法人科学技术振兴机构 |
| 主分类号： | H01B13/00 | 分类号： | H01B13/00;B05D5/12;H01B5/14;H01L21/28;H01L21/288 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 高旭轶;孟慧岚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种导电性膜的形成方法，其特征在于，经过下述工序：涂膜形成工序，在基板上，涂布含有1种以上的下述金属化合物以及溶剂的组合物而形成涂膜，所述金属化合物选自：选自铜、钯、铑、钌、铱、镍及铋中的金属的羧酸盐、醇盐、二酮化物及亚硝酰羧酸盐；以及氢自由基处理工序，向该涂膜供给氢自由基来进行氢自由基处理。 | ||
| 搜索关键词： | 导电性 形成 方法 | ||
【主权项】：
导电性膜的形成方法，其特征在于，经过下述工序：涂膜形成工序，在基板上，涂布含有1种以上的下述金属化合物以及溶剂的组合物而形成涂膜，所述金属化合物选自：选自铜、钯、铑、钌、铱、镍及铋中的金属的羧酸盐、醇盐、二酮化物及亚硝酰羧酸盐，氢自由基处理工序，向该涂膜供给氢自由基来进行氢自由基处理，以及在氧化性气氛下加热氢自由基处理工序后的膜的氧化工序。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于独立行政法人科学技术振兴机构，未经独立行政法人科学技术振兴机构许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201380011944.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：场发射装置的材料与配置
- 下一篇：使用基于位置的语言建模的自动输入信号识别
