[发明专利]导电性膜的形成方法

权利要求书

1.导电性膜的形成方法，其特征在于，经过下述工序：

涂膜形成工序，在基板上，涂布含有1种以上的下述金属化合物以及溶剂的组合物而形成涂膜，所述金属化合物选自：选自铜、钯、铑、钌、铱、镍及铋中的金属的羧酸盐、醇盐、二酮化物及亚硝酰羧酸盐，

氢自由基处理工序，向该涂膜供给氢自由基来进行氢自由基处理。

2.如权利要求1所述的导电性膜的形成方法，其中，在所述涂膜形成工序之后、所述氢处理工序之前，进行：

在氧化性气氛下加热在所述涂膜形成工序中形成的涂膜的氧化工序。

3.如权利要求1或2所述的导电性膜的形成方法，其中，在所述氢处理工序之后，还进行：

在氧化性气氛下加热氢自由基处理工序后的膜的氧化工序。

4.如权利要求3所述的导电性膜的形成方法，其中，所述金属为：

选自铜、镍及铋中的1种，或者，

选自铜、钯、铑、钌、铱、镍及铋中的2种以上，其中不包括由铑及镍组成的2种、和由钌及铱组成的2种，而且，

形成的导电性膜为非晶状。

5.如权利要求3所述的导电性膜的形成方法，其中，所述金属为：

选自钯及铑中的1种，或者，

为由铑及镍组成的2种，而且，

形成的导电性膜具有结晶性。

6.如权利要求3所述的导电性膜的形成方法，其中，所述金属为：

选自铜、钯、铑、镍及铋中的1种，或者，

选自铜、钯、铑、钌、铱、镍及铋中的2种以上，其中不包括由钌及铱组成的2种，而且，

得到的导电性膜具有p型半导体特性。

7.导电性膜，其是利用权利要求3所述的方法形成的。

8.如权利要求7所述的导电性膜，具有下式（2）表示的组成，

M_1.0O_aH_bC_c   （2）

式（2）中，M为选自铜、钯、铑、钌、铱、镍及铋中的1种以上的金属原子，a为0.15~1.0的数，b为0~0.15的数，c为0.005~0.15的数。

9.如权利要求1或2所述的导电性膜的形成方法，其中，在所述氢处理工序之后，不进行：

在氧化性气氛下加热氢自由基处理工序后的膜的氧化工序。

10.导电性膜，其是利用权利要求9所述的方法形成的。

11.如权利要求10所述的导电性膜，具有下式（1）表示的组成，

M_1.0O_aH_bC_c   （1）

式（1）中，M为选自铜、钯、铑、钌、铱、镍及铋中的1种以上的金属原子，a为0~0.10的数，b为0.005~0.25的数，c为0.005~0.25的数。