[发明专利]导电性膜的形成方法

说明书

技术领域

本发明涉及导电性膜的形成方法。详细地说，涉及能在低温下形成导电性高的金属膜及氧化物膜、以及显示p型半导体特性并且导电性高或霍尔迁移率高的导电性氧化物膜的方法。

背景技术

二极管、晶体管等半导体元件通过显示不同类型的导电性的半导体彼此的接合而呈现其功能。例如为pn接合、pin接合等。这样的半导体一直以来可使用硅、锗等半金属元素来制造。这些材料的制造成本昂贵，在高温下容易劣化，因此，不一定能满足作为工业使用的半导体材料。

另一方面，在各种的电子设备中，作为构成电极、布线等的导电性材料，广泛使用了金属及导电性氧化物。由这些金属或导电性氧化物形成的膜以往利用例如溅射法、激光烧灼法、蒸镀法等气相法而形成。然而，气相法需要巨大且昂贵的装置，膜的生产率也低，因此，形成膜所需要的成本成为大的负担。另外，当利用该方法尤其是在基板上形成金属膜时，为了在基板上将前体化合物转化为金属，需要将基板加热至高温。因此，针对例如耐热性低的树脂基板、在高温下可被破坏的形成电子设备后的基板等的适用受到限制。

进而，若利用气相法来形成导电性材料，则不能应用印刷法等简单的膜形成方法。为了利用印刷法来形成导电性膜，必须开发液相工艺。

因此，近年来，研究、报道了利用廉价的液相工艺来形成金属膜及导电性氧化物膜的技术。例如，日本特开2009?227864号公报中，记载了在基板上涂布含有铝烷-胺（alane-amine）络合物的组合物，接下来，将其加热至200℃左右，从而在基板上形成铝膜的技术。该技术是利用液相工艺、而且是能在较低温度下在基板上形成金属膜的优异的技术，但存在想要进一步降低基板的最高到达温度的要求。另外，C.K.Chen等，Journal of Display Technoloty，Vol.5，No.12，pp509?514（2009）中，公开了将含有氯化铟、氯化锌等作为前体的组合物溶液涂布到基板上，对其进行加热从而形成IZO（Indium Zinc Oxide）膜的技术。然而，利用该技术得到的膜的导电性不充分，未达到实际应用的程度。

关于p型半导体，虽然在以往技术中有一些利用气相法来形成膜的报道，但利用液相工艺进行的p型半导体膜的形成尚未成功。

发明内容

本发明是鉴于上述情况而完成的，其目的在于，提供：

用于形成导电性高的金属膜及导电性氧化物膜、以及显示p型半导体特性并且导电性高或霍尔迁移率高的导电性氧化物膜的方法，所述方法利用廉价的液相工艺，且利用不需要将基板加热至高温的温和的工艺进行。

本发明的上述目的及优点通过下述导电性膜的形成方法来实现，所述导电性膜的形成方法的特征在于，经过下述工序：

涂膜形成工序，在基板上，涂布含有1种以上的下述金属化合物以及溶剂的组合物而形成涂膜，所述金属化合物选自：选自铜、钯、铑、钌、铱、镍及铋中的金属的羧酸盐、醇盐、二酮化物及亚硝酰羧酸盐，以及，

氢自由基处理工序，向该涂膜供给氢自由基来进行氢自由基处理。

直到上述氢自由基处理工序为止地结束膜的形成时，可在基板上形成金属膜；

另一方面，通过在上述氢处理工序之后，还进行在氧化性气氛下进行加热的氧化工序，可在基板上形成导电性氧化物膜。

附图说明

图1为实施例1中得到的、试样Cu?A、Rh及BiRh的X射线衍射图。

图2为实施例1中得到的试样NiRh的TEM图像。

图3为实施例1中得到的试样NiRh的电子衍射图像（对应于图2的区域（a）及（b））。

图4为实施例2中得到的膜的IR谱。

图5为实施例3中得到的试样Pd的X射线衍射图。

图6为表示实施例5中测定的试样NiRh的体积电阻系数的温度依赖性的图。

具体实施方式

以下，详细地说明本发明。

本发明的导电性膜的形成方法如上所述，

特征在于，经过下述工序：

涂膜形成工序，在基板上，涂布含有1种以上的下述金属化合物以及溶剂的组合物而形成涂膜，所述金属化合物选自：选自铜、钯、铑、钌、铱、镍及铋中的金属的羧酸盐、醇盐、二酮化物及亚硝酰羧酸盐（以下，也称为“前体组合物”。），以及，

氢自由基处理工序，向该涂膜供给氢自由基来进行氢自由基处理。

＜前体组合物＞