[发明专利]半导体晶片用保护薄膜及半导体芯片的制造方法有效
| 申请号： | 201380009159.3 | 申请日： | 2013-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN104137229B | 公开（公告）日： | 2017-01-18 |
| 发明（设计）人： | 市六信広 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/301 | 分类号： | H01L21/301;C09J7/02;C09J11/04;C09J133/00;C09J163/00;C09J171/10;C09J179/08 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司72003 | 代理人： | 张永康,李英艳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明是一种半导体晶片用保护薄膜，其特征在于，其具备基材薄膜与形成于该基材薄膜的上侧的保护膜，并且，前述保护膜含有下述(A)～(E)成分(A)选自由苯氧基树脂、聚酰亚胺树脂、及(甲基)丙烯酸树脂所组成的群组中的至少一种100质量份；(B)环氧树脂5～200质量份；(C)纤维状无机填充材料以外的填充材料100～400质量份；(D)环氧树脂固化催化剂催化剂量；及(E)纤维状无机填充材料25～5000质量份。由此，提供一种切断特性优异的半导体晶片用保护薄膜及生产率较高的半导体芯片的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 晶片 保护 薄膜 芯片 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体晶片用保护薄膜，其特征在于，其具备基材薄膜与形成于该基材薄膜的上侧的保护膜，并且，前述保护膜由补强层与粘着层所构成，前述粘着层含有下述A～D成分而成，前述补强层含有下述E成分而成，且前述补强层倾斜地进行配置：A.选自由苯氧基树脂、聚酰亚胺树脂、及(甲基)丙烯酸树脂所组成的群组中的至少一种：100质量份；B.环氧树脂：5～200质量份；C.纤维状无机填充材料以外的填充材料：100～400质量份；D.环氧树脂固化催化剂：相对于100质量份所述B成分的环氧树脂为0.1～20质量份；E.网眼状的纤维状无机填充材料：25～5000质量份。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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