[发明专利]半导体晶片用保护薄膜及半导体芯片的制造方法有效

专利信息
申请号: 201380009159.3 申请日: 2013-01-24
公开(公告)号: CN104137229B 公开(公告)日: 2017-01-18
发明(设计)人: 市六信広 申请(专利权)人: 信越化学工业株式会社
主分类号: H01L21/301 分类号: H01L21/301;C09J7/02;C09J11/04;C09J133/00;C09J163/00;C09J171/10;C09J179/08
代理公司: 隆天知识产权代理有限公司72003 代理人: 张永康,李英艳
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 晶片 保护 薄膜 芯片 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体晶片用保护薄膜,其特征在于,其具备基材薄膜与形成于该基材薄膜的上侧的保护膜,并且,前述保护膜含有下述(A)~(E)成分:

(A)选自由苯氧基树脂、聚酰亚胺树脂、及(甲基)丙烯酸树脂所组成的群组中的至少一种:100质量份;

(B)环氧树脂:5~200质量份;

(C)纤维状无机填充材料以外的填充材料:100~400质量份;

(D)环氧树脂固化催化剂:催化剂量;及

(E)纤维状无机填充材料:25~5000质量份。

2.如权利要求1所述的半导体晶片用保护薄膜,其中,前述保护膜由补强层与粘着层所构成,

并且,前述粘着层含有下述(A)~(D)成分而成,前述补强层含有下述(E)成分而成:

(A)选自由苯氧基树脂、聚酰亚胺树脂、及(甲基)丙烯酸树脂所组成的群组中的至少一种:100质量份;

(B)环氧树脂:5~200质量份;

(C)纤维状无机填充材料以外的填充材料:100~400质量份;

(D)环氧树脂固化催化剂:催化剂量;及

(E)纤维状无机填充材料:1000~5000质量份。

3.如权利要求1或2所述的半导体晶片用保护薄膜,其中,前述(A)成分中的苯氧基树脂是双酚A型苯氧基树脂或双酚F型苯氧基树脂,前述(B)成分的环氧树脂是液态双酚A型环氧树脂或液态双酚F型环氧树脂。

4.一种半导体芯片的制造方法,其是切割半导体晶片来制造半导体芯片的方法,其特征在于,其将权利要求1至3中的任一项所述的半导体晶片用保护薄膜粘贴于前述半导体晶片上,并整体进行切割,由此来制造背面具有与前述半导体芯片相同尺寸的保护膜的半导体芯片。

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