[发明专利]半导体晶片用保护薄膜及半导体芯片的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体晶片用保护薄膜及半导体芯片的制造方法。

背景技术

为了缩小半导体芯片(chip)的构装面积或进行低背化，目前使用倒装芯片连接法。该连接法中，切割于表面上形成有电路及连接用凸块的晶片(wafer)，从而获得半导体芯片，将该芯片的表面朝向基板连接后，进行树脂密封等，以保护半导体芯片。

已知有一种芯片用保护膜形成用片材，其防止于上述切割工序中，由于旋转刀的振动等而造成芯片损伤(以下称作“碎裂”)，并且，代替树脂密封，作为密封膜而发挥作用(专利文献1、专利文献2)。

又，已知有使用线膨胀系数较低的补强材料来防止IC卡的扭转的技术(专利文献3)、及使用补强材料来防止IC卡内半导体芯片的破裂的技术(专利文献4)。

上述芯片用保护膜是粘贴于晶片的背面来使用。因此，于切割工序中，最后被旋转刀切断的构件，是该保护膜。但是，存在以下问题：由于该保护膜中所包含的树脂成分具有延伸性，因此难以切割，又，于旋转刀上引起堵塞，使旋转刀振动，从而损伤晶片。

使用线膨胀系数较低的补强材料来防止IC卡扭转的情况下，当对IC卡施加扭转或弯曲应力时，整体无补强材料时，无低弹性模数的半导体芯片的部分可缓和应力，但整体加入补强材料的情况下，较薄的半导体芯片受到扭转或弯曲应力而破裂。

于IC卡内的半导体芯片上粘贴补强材料的方法中，因复数次固化工序、或粘着剂的溢出、补强层的位置偏移或倾斜、及粘着剂厚度不均匀所引起的补强强度的不均，而导致产生质量不均或生产率显著降低。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2002-280329号公报

专利文献2：日本特开2004-260190号公报

专利文献3：日本特开平10-24686号公报

专利文献4：日本特开2000-268152号公报

发明内容

发明所要解决的课题

本发明是鉴于上述情况而完成的，其目的在于提供一种由切块机(dicer)所实行的切断特性优异的半导体晶片用保护薄膜及生产率较高的半导体芯片的制造方法。

解决课题的方法

为解决上述课题，根据本发明，提供一种半导体晶片用保护薄膜，其特征在于，其具备基材薄膜与形成于该基材薄膜的上侧的保护膜，并且，前述保护膜含有下述(A)～(E)成分：

(A)选自由苯氧基树脂、聚酰亚胺树脂、及(甲基)丙烯酸树脂所组成的群组中的至少一种：100质量份；

(B)环氧树脂：5～200质量份；

(C)纤维状无机填充材料以外的填充材料：100～400质量份；

(D)环氧树脂固化催化剂：催化剂量；及

(E)纤维状无机填充材料：25～5000质量份。

此种半导体晶片用保护薄膜的保护膜，通过具有纤维状无机填充材料，可于切割半导体晶片而获得半导体芯片时防止碎裂。又，该半导体晶片用保护薄膜的保护膜抗折强度较高，可防止于市面上使用时由于弯曲应力而引起的芯片的破裂。

又，优选为：前述保护膜由补强层与粘着层所构成，

并且，前述粘着层含有下述(A)～(D)成分而成，前述补强层含有下述(E)成分而成：

(A)选自由苯氧基树脂、聚酰亚胺树脂、及(甲基)丙烯酸树脂所组成的群组中的至少一种：100质量份；

(B)环氧树脂：5～200质量份；

(C)纤维状无机填充材料以外的填充材料：100～400质量份；

(D)环氧树脂固化催化剂：催化剂量；及

(E)纤维状无机填充材料：1000～5000质量份。

如此一来，若保护膜是由补强层与粘着层两层所构成，则可进一步防止半导体芯片的碎裂并提升抗折强度，从而实现高生产率。

又，优选为：前述(A)成分中的苯氧基树脂是双酚A型苯氧基树脂或双酚F型苯氧基树脂，前述(B)成分的环氧树脂是液态双酚A型环氧树脂或液态双酚F型环氧树脂。

若为此种(A)成分及(B)成分的组合，则半导体晶片用保护薄膜，其由切块机所实行的切断特性更为优异。

又，本发明提供一种半导体芯片的制造方法，是切割半导体晶片来制造半导体芯片的方法，其特征在于，其将前述半导体晶片用保护薄膜粘贴于前述半导体晶片上，并整体进行切割，由此来制造背面具有与前述半导体芯片相同尺寸的保护膜的半导体芯片。