[发明专利]用于提高SI太阳能电池的表面钝化的性能和稳定性的缓冲层

摘要

本发明的实施方式一般涉及太阳能电池的制造且更具体地涉及用于提高Si太阳能电池的表面钝化的性能和稳定性的缓冲层。一般来说，包含缓冲层(中间层)的钝化层堆叠形成在基于硅的基板的表面上。在一个实施方式中，钝化层堆叠可形成在基板的背表面上。在另一实施方式中，钝化层堆叠形成在基板的背表面和基板的前发射区(光接收表面)上。

主权项

一种太阳能电池装置，所述太阳能电池装置包含：形成在基板的第一表面上的发射区，所述发射区具有与所述基板的导电类型相对的导电类型；和一或更多个钝化层堆叠，所述一或更多个钝化层堆叠包含：形成在所述基板的第二表面或所述发射区上的第一介电层；形成在所述第一介电层上方的第二介电层；和安置在所述第一介电层和所述第二介电层之间的中间层。