[发明专利]用于提高SI太阳能电池的表面钝化的性能和稳定性的缓冲层

权利要求书

1.一种太阳能电池装置，所述太阳能电池装置包含：

形成在基板的第一表面上的发射区，所述发射区具有与所述基板的导电类型相对的导电类型；和

一或更多个钝化层堆叠，所述一或更多个钝化层堆叠包含：

形成在所述基板的第二表面或所述发射区上的第一介电层；

形成在所述第一介电层上方的第二介电层；和

安置在所述第一介电层和所述第二介电层之间的中间层。

2.如权利要求1所述的太阳能电池装置，其特征在于，所述第一介电层、所述第二介电层和所述中间层由从以下内容组成的群组中选择的材料制造：氧化硅(Si_xO_y)、氮化硅(Si_xN_y)、氢化氮化硅(Si_xN_y:H)、氧氮化硅(SiON)、氧碳氮化硅(SiOCN)、氧碳化硅(SiOC)、氧化钛(Ti_xO_y)、氧化钽(Ta_xO_y)、氧化镧(La_xO_y)、氧化铪(Hf_xO_y)、氮化钛(Ti_xN_y)、氮化钽(Ta_xN_y)、氮化铪(HfN)、氧氮化铪(HfON)、氮化镧(LaN)、氧氮化镧(LaON)、氯化氮化硅(Si_xN_y:CI)、氯化氧化硅(Si_xO_y:Cl)、非晶硅、非晶碳化硅、氧化铝(Al_xO_y)、亚硝酸铝或氧氮化铝。

3.如权利要求2所述的太阳能电池装置，其特征在于，所述第一介电层包含氧化铝(Al₂O₃)。

4.如权利要求3所述的太阳能电池装置，其特征在于，所述中间层包含二氧化硅(SiO₂)或者氧氮化硅(SiON)。

5.如权利要求3所述的太阳能电池装置，其特征在于，所述第二介电层包含氮化硅(SiN_x)且其中所述中间层包含二氧化硅(SiO₂)或者氧氮化硅(SiON)。

6.如权利要求1所述的太阳能电池装置，其特征在于，所述一或更多个钝化层堆叠安置在所述基板的第二表面上且所述中间层包含二氧化硅，其中所述基板的所述第二表面与所述第一表面相对。

7.如权利要求1所述的太阳能电池装置，其特征在于，所述一或更多个钝化层堆叠安置在所述基板的所述第一表面上方。

8.如权利要求1所述的太阳能电池装置，其特征在于，所述一或更多个钝化层堆叠具有大约至大约的总厚度，且其中所述第一介电层具有大约至大约的厚度，所述第二介电层具有大约至大约的厚度，且所述中间层具有大约至大约的厚度。

9.一种制造太阳能电池装置的方法，所述方法包含以下步骤：

在一或更多个处理腔室中在基板的第一表面上形成一或更多个钝化层堆叠，所述步骤包含以下步骤：

在所述基板的所述第一表面上形成包含氧化铝的第一介电层；

在所述第一介电层上方形成中间层；和

在所述中间层上方形成包含氮化硅的第二介电层。