[发明专利]R－T－B系烧结磁体的制造方法有效
| 申请号： | 201380004688.4 | 申请日： | 2013-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN104040655B | 公开（公告）日： | 2016-10-12 |
| 发明（设计）人： | 小幡彻 | 申请（专利权）人： | 日立金属株式会社 |
| 主分类号： | H01F41/02 | 分类号： | H01F41/02;B22F3/00;B22F3/26;C22C33/02;C22C38/00;H01F1/057;H01F1/08 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本东京都*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的R－T－B系烧结磁体的制造方法包括：隔着具有开口部的平板状的保持部件，交替配置RH扩散源和R－T－B系烧结磁石体，构成叠层体的工序；将上述叠层体配置在处理容器内的工序；在上述处理容器内的压力为2.0Pa以上、50Pa以下、温度为800℃以上、950℃以下的条件下，进行RH供给扩散处理的工序(A)；和在上述处理容器内的压力为150Pa以上、2kPa以下、温度为800℃以上、950℃以下的条件下，进行RH扩散处理的工序(B)，并且包括将工序(A)和工序(B)交替重复2次以上的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 烧结 磁体 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种R－T－B系烧结磁体的制造方法，其特征在于，包括：隔着具有开口部的平板状的保持部件，交替配置RH扩散源和R－T－B系烧结磁石体，构成叠层体的工序，其中，RH扩散源为含有80原子％以上的重稀土元素RH的金属或合金，其中，重稀土元素RH为Dy和Tb中的至少一种，R为稀土元素中的至少一种，T为过渡金属元素中的至少一种，必须含有Fe；将上述叠层体配置在处理容器内的工序；在所述处理容器内的压力为2.0Pa以上、50Pa以下、温度为800℃以上、950℃以下的条件下，进行RH供给扩散处理的工序(A)；和在所述处理容器内的压力为150Pa以上、2kPa以下、温度为800℃以上、950℃以下的条件下，进行RH扩散处理的工序(B)，并且包括将工序(A)和工序(B)交替重复2次以上的工序，所述叠层体包括配置于第一所述保持部件上的第一所述RH扩散源和配置于第二所述保持部件上的第一所述R－T－B系烧结磁石体，在所述第一所述保持部件与所述第一所述RH扩散源之间不配置所述R－T－B系烧结磁石体，所述叠层体包括配置于第三所述保持部件上的第二所述RH扩散源，所述第三所述保持部件与所述第一所述R－T－B系烧结磁石体接触。
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