[发明专利]R-T-B系烧结磁体的制造方法有效

专利信息
申请号: 201380004688.4 申请日: 2013-02-28
公开(公告)号: CN104040655B 公开(公告)日: 2016-10-12
发明(设计)人: 小幡彻 申请(专利权)人: 日立金属株式会社
主分类号: H01F41/02 分类号: H01F41/02;B22F3/00;B22F3/26;C22C33/02;C22C38/00;H01F1/057;H01F1/08
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 龙淳
地址: 日本东京都*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 烧结 磁体 制造 方法
【说明书】:

技术领域

本发明涉及R-T-B系烧结磁体的制造方法。

背景技术

在本说明书中,“R-T-B”的R为稀土元素中的至少一种。另外,T为过渡金属元素中的至少一种,必须含有Fe。B为硼。其中,稀土元素是指钪(Sc)、钇(Y)这2种元素和镧(La)至镥(Lu)的15种元素(镧系)的总称。

R-T-B系烧结磁体在永久磁体中作为性能最高的磁体而被已知,被用于硬盘驱动的音圈电动机(VCM)、混合式车载用电动机等各种电动机。

R-T-B系烧结磁体在高温中矫顽力HcJ(以下简单记载为“HcJ”)降低,因此引起不可逆热退磁。为了避免不可逆热退磁,在用于电动机用等的情况下,要求即使在高温中也维持HcJ。

近年来,以提高R-T-B系烧结磁体的HcJ为目的,提出了如下方法:使用蒸镀方法对R-T-B系烧结磁体表面供给Dy、Tb等的重稀土元素RH,通过将其重稀土元素RH向磁体内部扩散,抑制剩余磁通密度Br(以下简单记载为“Br”)的降低,提高HcJ(以下记载为“蒸镀扩散处理方法”)。

专利文献1公开了如下方法:在蒸镀扩散处理方法中,通过Nb网和间隔部件将R-T-B系烧结磁体和含有重稀土元素RH的块体隔开而配置,将这些加热到规定温度,由此从上述块体对R-T-B系烧结磁体的表面供给重稀土元素RH,使重稀土元素RH扩散到R-T-B系烧结磁体的内部。

专利文献2公开了包括工序(A)和工序(B),并将工序(A)和工序(B)重复2次以上的方法:工序(A):在蒸镀扩散处理方法中,在处理容器内,通过由高熔点金属构成的支撑部件和支柱,将R-T-B系烧结磁石体和含有重稀土元素RH的RH扩散源隔开而配置,将上述处理容器内加热到规定温度,由此从上述RH扩散源对R-T-B系烧结磁石体的表面供给重稀土元素RH,使重稀土元素RH扩散到R-T-B系烧结磁石体的内部的RH供给工序(A),工序(B):原样维持R-T-B系烧结磁石体的加热状态,中断从RH扩散源向烧结磁石体的重稀土元素RH供给并维持的RH扩散工序(B)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:国际公开第2007/102391号

专利文献2:日本特开2011-233554号公报

发明内容

发明所要解决的课题

专利文献1通过蒸镀扩散处理方法,在R-T-B系烧结磁体的主相外壳部形成重稀土元素RH的浓缩层。此时,重稀土元素RH从R-T-B系烧结磁体的表面扩散到该R-T-B系烧结磁体的内部,同时,以包含在上述R-T-B系烧结磁体的内部的轻稀土元素RL(RL为Nd和Pr中的至少一种)为主体的液相成分,向上述R-T-B系烧结磁体的表面扩散。这样,就会引起上述重稀土元素RH从上述R-T-B系烧结磁体的表面向内部扩散、上述轻稀土元素RL从上述R-T-B系烧结磁体的内部向表面扩散这样的相互扩散,由此在R-T-B系烧结磁体表面形成以轻稀土元素RL为主体的溶出部分。该部分有可能与支撑R-T-B系烧结磁体的Nb网发生固着(以下记载为“熔接”)。

在专利文献2所公开的方法中,在RH供给工序(A)中,实施与专利文献1所公开的方法相同的蒸镀扩散处理。因此,与专利文献1所公开的方法同样,有可能发生支撑部件与R-T-B系烧结磁体的熔接。

重稀土元素RH向R-T-B系烧结磁体的供给过多时,多数情况下引起如上所述的相互扩散,多数情况下发生熔接。因此,在专利文献1、2中,重稀土元素RH向R-T-B系烧结磁体的供给不过多时,在载持R-T-B系烧结磁体的Nb网(相当于专利文献2的保持部件)与块体(相当于专利文献2的RH扩散源)之间以及在载持块体的Nb网与R-T-B系烧结磁体之间配置间隔部件(相当于专利文献2的支柱)而使之具有空间。但是,其结果,在处理多量的R-T-B系烧结磁体时,存在不能使一次的处理量增加的问题。

本发明的实施方式能够提供一种不使R-T-B系烧结磁体和保持部件发生熔接,使每1次的处理量增加,并使生产效率提高的R-TB系烧结磁体的制造方法。

用于解决课题的技术方案

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