[发明专利]半导体激光器装置以及其制造方法有效
| 申请号： | 201380004402.2 | 申请日： | 2013-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN104040809B | 公开（公告）日： | 2017-03-22 |
| 发明（设计）人： | 吉田隆幸;上田直人;大森弘治;本藤拓磨;笠井辉明 | 申请（专利权）人： | 松下知识产权经营株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/022 | 分类号： | H01S5/022 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 薛凯 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的半导体激光器装置具有导电性的散热部件、导电性的第1粘合剂、和半导体激光器元件。第1粘合剂设于散热部件之上，半导体激光器元件设于第1粘合剂之上。第1粘合剂在半导体激光器元件的射出激光的发射器端面部之下到达散热部件的侧面上。由此，能进一步提升半导体激光器元件的散热性，并能效率良好地取出来自半导体激光器元件的激光。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体激光器装置，具备：导电性的第1散热部件；设于所述第1散热部件之上的导电性的第1粘合剂；设于所述第1粘合剂之上的半导体激光器元件；和形成于所述半导体激光器元件的激光器射出面的反射防止膜，所述第1粘合剂，在所述半导体激光器元件的所述激光器射出面之下到达所述第1散热部件的侧面，所述第1粘合剂与所述反射防止膜的亲和性低于所述第1粘合剂与所述第1散热部件的亲和性，所述半导体激光器元件的所述激光器射出面，位于比所述第1散热部件的激光器射出侧的侧面更靠远离所述第1散热部件的中心的位置，所述半导体激光器元件的所述激光器射出面、与所述第1散热部件的所述激光器射出侧的侧面的俯视观察下的距离为10μm以下。
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