[发明专利]半导体激光器装置以及其制造方法有效
| 申请号： | 201380004402.2 | 申请日： | 2013-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN104040809B | 公开（公告）日： | 2017-03-22 |
| 发明（设计）人： | 吉田隆幸;上田直人;大森弘治;本藤拓磨;笠井辉明 | 申请（专利权）人： | 松下知识产权经营株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/022 | 分类号： | H01S5/022 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 薛凯 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体激光器装置，具备：
导电性的第1散热部件；
设于所述第1散热部件之上的导电性的第1粘合剂；和
设于所述第1粘合剂之上的半导体激光器元件，
所述第1粘合剂，在所述半导体激光器元件的激光器射出面之下到达所述第1散热部件的侧面。
2.根据权利要求1所述的半导体激光器装置，其中，
所述半导体激光器元件的所述激光器射出面和所述第1散热部件的激光器射出侧的侧面在同一平面上。
3.根据权利要求1所述的半导体激光器装置，其中，
所述半导体激光器元件的所述激光器射出面位于比所述第1散热部件的激光器射出侧的侧面更靠所述散热部件的中心的位置。
4.根据权利要求3所述的半导体激光器装置，其中，
所述半导体激光器元件的所述激光器射出面、与所述第1散热部件的所述激光器射出侧的侧面的俯视观察下的距离为5μm以下。
5.根据权利要求1所述的半导体激光器装置，其中，
所述半导体激光器元件的所述激光器射出面，位于比所述第1散热部件的激光器射出侧的侧面更靠远离所述散热部件的中心的位置。
6.根据权利要求5所述的半导体激光器装置，其中，
所述半导体激光器元件的所述激光器射出面、与所述第1散热部件的所述激光器射出侧的侧面的俯视观察下的距离为5μm以下。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的半导体激光器装置，其中，
所述第1粘合剂设于所述第1散热部件的激光器射出侧的侧面整面。
8.根据权利要求7所述的半导体激光器装置，其中，
所述第1散热部件的所述激光器射出侧的侧面的上部的所述第1粘合剂的厚度，大于所述第1散热部件的所述激光器射出侧的侧面的上部以外的所述第1粘合剂的厚度。
9.根据权利要求1～8中任一项所述的半导体激光器装置，其中，
所述半导体激光器装置还具备：
导电性的第2散热部件；
设于所述第2散热部件之上的导电性的第2粘合剂；
设于所述第2散热部件之上的绝缘性的粘合带；和
设于所述绝缘性的粘合带之上的导电性的粘结板，
所述第1散热部件设于所述第2粘合剂之上，
所述粘结板的平面形状为包围所述半导体激光器元件的“コ”字状。
10.一种半导体激光器装置的制造方法，具备：
在导电性的第1散热部件，隔着导电性的第1粘合剂搭载半导体激光器元件的工序，
所述第1粘合剂在所述半导体激光器元件的激光器射出面之下到达第1散热部件的侧面之上。
11.根据权利要求10所述的半导体激光器装置的制造方法，其中，
在搭载所述半导体激光器元件的工序前，还具备：
在所述第1散热部件的上表面以及激光器射出侧的侧面形成所述第1粘合剂的工序。
12.根据权利要求11所述的半导体激光器装置的制造方法，其中，
形成所述第1粘合剂的工序中，通过蒸镀或镀敷来形成所述第1粘合剂。
13.根据权利要求11或12所述的半导体激光器装置的制造方法，其中，
搭载所述半导体激光器元件的工序中，按照所述第1散热部件的激光器射出侧的侧面的上部的所述第1粘合剂的厚度大于所述第1散热部件的所述激光器射出侧的侧面的上部以外的所述第1粘合剂的厚度的方式来搭载所述半导体激光器元件。
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