[发明专利]半导体激光器装置以及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及产业用途的领域中在焊接、接合以及切断等中作为光源使用的高输出的半导体激光器装置以及其制造方法。

背景技术

近年来，半导体激光器装置的高输出化的进展显著，半导体激光器装置作为产业用途的领域中在焊接、接合以及切断等的加工使用的设备的光源备受期待。

半导体激光器装置由于小型且高效率，能通过半导体晶片同时生产众多元件，因此适于数十W级的小型光源。作为这样的数十W级的高输出激光器的光源，使用阵列型半导体激光器装置或组合多个单体型半导体激光器装置的构成。阵列型半导体激光器装置在1个芯片内具有相邻的多个活性区域，具有与芯片的端面相邻的被称作发射器的多个发光点。单体型半导体激光器装置具有1个发射器。

进而，从半导体激光器装置射出的激光由于能聚光在数微米程度，因此聚光性良好。由此，能使光能集中在极微小的区域，最适于局部的加工。

但是，由于这些半导体激光器装置以10W程度到数十W级的光输出进行动作，因此与在光盘等中使用的数百mW级输出的激光器相比，动作电流非常大，在活性区域的发热量也非常大。因此，这些半导体激光器装置为了保证高输出、且确保用于长寿命下进行动作的高的可靠性，将在活性区域产生的热迅速散到外部、抑制活性区域的动作温度的上升非常重要。

为此，如专利文献1～3那样，提出促进芯片的散热这样的构造的半导体激光器装置。使用图15来说明专利文献3记载的现有的半导体激光器装置。

图15是现有的半导体激光器装置100的立体图。

如图15所示，现有的半导体激光器装置100隔着焊料层102将半导体激光器元件101安装在散热器103上，如此形成。现有的半导体激光器装置100从与图15中的近前的面对应的半导体激光器元件101的激光器射出面射出激光104。现有的半导体激光器装置100使半导体激光器元件101的激光器射出面位于与散热器103的侧面同一面上地用焊料层102接合。

通过如此构成，射出的激光104不会被散热器103遮挡，且半导体激光器元件101的热能通过散热器103充分散热。

先行技术文献

专利文献

专利文献1：JP特开平1-281786号公报

专利文献2：JP特开2008-311491号公报

专利文献3：JP特开2010-40933号公报

发明的概要

但是，现有的半导体激光器装置在连结半导体激光器元件101和散热器103时，有焊料层102从半导体激光器元件101的激光器射出面向激光104的射出方向突出的情况。这样的焊料层102的突出会妨碍激光104的行进。由此，变得不能充分取出激光104。

另外，若为了防止焊料层102的突出而使焊料层102的端部从半导体激光器元件101的激光器射出面后退地设置，则不能使成为最高温的激光器射出面的热充分散热到散热器103。

另外，半导体激光器元件101的激光器射出面易于因被称作COD(Catastrophic Optical Damage，光学灾变损伤)的光学性破坏损伤而破损。所谓COD是指由半导体激光器元件101自身出射的激光破坏半导体激光器元件101的激光出射面自身的情况。特别地，因来自与半导体激光器元件101的激光器射出面对置而设的光学部件(未图示)的返回光而产生一般称作光丝效应(filamentation effect)的现象，由此激光密度突然变高。在该状态下，在未进行充分的散热的情况下，有时会损坏半导体激光器元件101。

发明内容

本发明为了解决该课题而提出，提供能确保特性的稳定性、均匀性以及高可靠性的高输出的半导体激光器装置以及其制造方法。

本发明的半导体激光器装置具有：导电性的散热部件、导电性的第1粘合剂、和半导体激光器元件。第1粘合剂设于散热部件之上，半导体激光器元件设于第1粘合剂之上。第1粘合剂在半导体激光器元件射出激光的发射器端面部之上到达散热部件的侧面之上。

本发明的半导体激光器装置的制造方法具有在导电性的散热部件隔着导电性的第1粘合剂搭载半导体激光器元件的工序。第1粘合剂在半导体激光器元件的射出激光的发射器端面部之下到达散热部件的侧面之上。

由此，能进一步提升半导体激光器元件的散热性，并效率良好地取出来自半导体激光器元件的激光。

根据本发明，能实现能确保特性的稳定性、均匀性以及高可靠性的高输出的半导体激光器装置以及其制造方法。

附图说明

图1是实施方式1所涉及的半导体激光器装置的俯视图。