[发明专利]具有正交底层虚拟填充的叠盖目标无效
申请号: | 201380003145.0 | 申请日: | 2013-05-21 |
公开(公告)号: | CN103814429A | 公开(公告)日: | 2014-05-21 |
发明(设计)人: | 努里尔·阿米尔;盖伊·科恩;弗拉基米尔·莱温斯基;迈克尔·阿德尔 | 申请(专利权)人: | 科磊股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;G03F1/42 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 张世俊 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明针对于设计及使用具有正交底层虚拟填充的叠盖目标。根据各种实施例,叠盖目标可包含形成至少一个叠盖目标结构的一个或一个以上经分段叠盖图案元素。所述叠盖目标可进一步包含形成至少一个虚拟填充目标结构的一个或一个以上非作用图案元素。所述一个或一个以上非作用图案元素中的每一者可包含沿正交于至少一个接近安置的叠盖图案元素的分段轴的轴而分段的虚拟填充。在一些实施例中,所述目标结构或层中的每一者可由连续安置于例如硅晶片的衬底上的单独工艺层形成。在一些实施例中,所述叠盖及虚拟填充目标结构可为两重或四重旋转对称的以允许特定制造或计量优点。 | ||
搜索关键词: | 具有 正交 底层 虚拟 填充 目标 | ||
【主权项】:
一种叠盖目标,其包括:一个或一个以上经分段叠盖图案元素,其形成至少一个叠盖目标结构;及一个或一个以上非作用图案元素,其形成至少一个虚拟填充目标结构,所述一个或一个以上非作用图案元素中的每一者包含沿正交于至少一个接近安置的叠盖图案元素的分段轴的轴而分段的虚拟填充。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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