[发明专利]具有正交底层虚拟填充的叠盖目标无效
申请号: | 201380003145.0 | 申请日: | 2013-05-21 |
公开(公告)号: | CN103814429A | 公开(公告)日: | 2014-05-21 |
发明(设计)人: | 努里尔·阿米尔;盖伊·科恩;弗拉基米尔·莱温斯基;迈克尔·阿德尔 | 申请(专利权)人: | 科磊股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;G03F1/42 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 张世俊 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 正交 底层 虚拟 填充 目标 | ||
1.一种叠盖目标,其包括:
一个或一个以上经分段叠盖图案元素,其形成至少一个叠盖目标结构;及
一个或一个以上非作用图案元素,其形成至少一个虚拟填充目标结构,所述一个或一个以上非作用图案元素中的每一者包含沿正交于至少一个接近安置的叠盖图案元素的分段轴的轴而分段的虚拟填充。
2.根据权利要求1所述的叠盖目标,其中所述一个或一个以上非作用图案元素形成至少一个两重或四重旋转对称叠盖目标结构,且其中所述一个或一个以上叠盖图案元素形成至少一个两重或四重对称虚拟填充目标结构。
3.根据权利要求1所述的叠盖目标,其中所述一个或一个以上非作用图案元素包含安置于经保留用于至少一个后续工艺层的叠盖图案元素的一个或一个以上区域上的虚拟填充分段。
4.根据权利要求1所述的叠盖目标,其中所述一个或一个以上非作用图案元素包含接近于所述一个或一个以上非作用图案元素的边缘区域安置以实现对至少一个图案元素的位置估计的虚拟填充分段。
5.根据权利要求1所述的叠盖目标,其中所述一个或一个以上非作用图案元素中的每一者为两重旋转对称的。
6.根据权利要求1所述的叠盖目标,其中所述一个或一个以上叠盖图案元素形成于所述一个或一个以上非作用图案元素上方。
7.根据权利要求1所述的叠盖目标,其中所述一个或一个以上非作用图案元素是根据选定间距或特征大小而分段,所述选定间距或特征大小实质上大于针对经配置以暴露所述一个或一个以上非作用图案元素的暴露工具规定的最小设计规则。
8.根据权利要求1所述的叠盖目标,其中所述一个或一个以上叠盖图案元素形成于所述一个或一个以上非作用图案元素上方的后续工艺层上在由所述一个或一个以上非作用图案元素界定的边界内。
9.根据权利要求8所述的叠盖目标,其中所述边界与所述一个或一个以上叠盖图案元素之间的距离大于沿平行于虚拟填充分段轴的轴的预定光学禁区。
10.根据权利要求8所述的叠盖目标,其中所述边界与所述一个或一个以上叠盖图案元素之间的距离大于沿垂直于虚拟填充分段轴的轴的预定光学禁区。
11.根据权利要求8所述的叠盖目标,其中所述边界与所述一个或一个以上叠盖图案元素之间的选定距离大于沿平行于虚拟填充分段轴的轴及沿垂直于所述虚拟填充分段轴的轴的预定光学禁区。
12.根据权利要求8所述的叠盖目标,其中所述一个或一个以上非作用图案元素是经由两个或两个以上并排暴露而印刷。
13.根据权利要求8所述的叠盖目标,其中所述一个或一个以上叠盖图案元素包含具有实现对至少一个图案元素的位置估计的内部边缘的孔口。
14.根据权利要求1所述的叠盖目标,其中所述一个或一个以上非作用图案元素包含经由单独暴露而印刷且根据光刻叠盖公差而对准的均匀间隔开的虚拟填充分段。
15.根据权利要求1所述的叠盖目标,其中所述一个或一个以上非作用图案元素包含形成于后续工艺层上的均匀间隔开的虚拟填充分段,其中所述虚拟填充分段经由单独暴露而印刷且根据光刻叠盖公差而对准。
16.根据权利要求1所述的叠盖目标,其中所述图案元素中的一者或一者以上是根据特征大小而分段。
17.根据权利要求1所述的叠盖目标,其中所述经分段虚拟填充覆盖安置于衬底上的至少一个层的大部分。
18.根据权利要求1所述的叠盖目标,其中所述一个或一个以上叠盖图案元素及所述一个或一个以上非作用图案元素形成叠盖于第二目标结构上的至少第一目标结构,所述所叠盖目标结构的每一象限包含:
两个非作用图案元素,其由经布置以实现沿正交于虚拟填充分段轴的第一轴的叠盖测量的经分段虚拟填充形成;及
两个经分段叠盖图案元素,其随后接近于所述至少两个非作用图案元素而安置。
19.根据权利要求18所述的叠盖目标,其中所述第一目标结构及所述第二目标结构为四重旋转对称的。
20.根据权利要求18所述的叠盖目标,其中所述两个叠盖图案元素经布置以实现沿正交于所述第一轴的第二轴的叠盖测量。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造