[实用新型]一种AR膜和AF膜同炉镀膜设备有效
申请号: | 201320761030.5 | 申请日: | 2013-11-27 |
公开(公告)号: | CN203715717U | 公开(公告)日: | 2014-07-16 |
发明(设计)人: | 宋光耀;范文明;檀晓兵 | 申请(专利权)人: | 昂纳信息技术(深圳)有限公司 |
主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35;C23C14/24 |
代理公司: | 深圳市君盈知识产权事务所(普通合伙) 44315 | 代理人: | 陈琳 |
地址: | 518118 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本实用新型涉及一种AR膜和AF膜同炉镀膜设备,包括真空腔室、基片架系统和镀膜沉积系统,所述基片架系统位于所述真空腔室内部,所述基片架系统,包含多个可翻转的单根立柱;所述镀膜沉积系统,包含安装于真空腔室内壁上至少一对溅射阴极、离子源和位于基片架系统内侧的蒸发源。通过位于真空腔体的内壁上的溅射阴极对基片进行AR膜镀制,单根立柱将镀完增透膜的基片翻转到内侧通过蒸发源对基片进行AF膜的镀制,达到制作过程时间短,无需在AR制作完成后换一台镀膜机进行AF制作,提高了批量化制作时的良率以及产能的效果,且表面不易被污染。 | ||
搜索关键词: | 一种 ar af 镀膜 设备 | ||
【主权项】:
一种AR膜和AF膜同炉镀膜设备,包括真空腔室、基片架系统和镀膜沉积系统,所述基片架系统位于所述真空腔室内部,其特征在于:所述基片架系统,包含多个可翻转的单根立柱;所述镀膜沉积系统,包含安装于真空腔室内壁上至少一对溅射阴极、离子源和位于基片架系统内侧的蒸发源。
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