[实用新型]半导体发光器件

摘要

本实用新型公开了一种半导体发光器件，属于光电器件领域。所述半导体发光器件包括：衬底、设于所述衬底上的外延层、以及设于所述外延层上的电极，所述衬底上开设有贯穿所述衬底的容置孔，所述容置孔内设有与所述外延层电性连接的导电件，所述外延层包括依次向上生长于所述衬底上的第一半导体层、发光层和第二半导体层，所述第一半导体层为N型层，所述第二半导体层为P型层。本实用新型通过在半导体发光器件的衬底上开设容置孔结构，并在该容置空中设置与外延层电连接的导电件，使得电流可以穿过不导电的衬底，从而直接制备出垂直结构的发光器件，成本较低，效率较高，制备过程简单，工艺稳定，适合大量生产。

主权项

一种半导体发光器件，所述半导体发光器件包括：衬底（103）、设于所述衬底（103）上的外延层（102）、以及设于所述外延层（102）上的电极（101），其特征在于，所述衬底（103）上开设有贯穿所述衬底（103）的容置孔（104），所述容置孔（104）内设有与所述外延层（102）电性连接的导电件，所述外延层（102）包括依次向上生长于所述衬底（103）上的第一半导体层（107）、发光层（106）和第二半导体层（105），所述第一半导体层（107）为N型层，所述第二半导体层（105）为P型层。