[实用新型]半导体发光器件

说明书

技术领域

本实用新型涉及光电器件领域，特别涉及一种半导体发光器件。

背景技术

半导体发光器件主要有两种基本结构，横向结构和垂直结构。以典型的GaN（氮化镓）蓝光LED（Light Emitting Diode，发光二极管）为例：横向结构LED芯片的两个电极在LED芯片的同一侧，电流在LED外延层的两个半导体层中横向流动；垂直结构的LED芯片的两个电极分别在LED外延层的两侧，电流可以均匀流过LED外延层，可以改善横向结构LED带来的电流分布问题，提高发光效率，也可以提升LED的发光面积；同时，垂直结构的LED还具有非常好散热性能，从而获得更长的寿命。

在现有的氮化物垂直结构的LED的实现方法中，由于蓝宝石衬底不导电，需要去除蓝宝石才能够制作垂直结构的LED，现在比较通用的办法是通过激光剥离去除衬底，然后制成垂直结构的LED。

在实现本实用新型的过程中，发明人发现现有技术至少存在以下问题：

激光剥离设备比较昂贵，同时剥离工艺也比较复杂，并且存在成品率不高的问题。

实用新型内容

为了解决现有技术制作垂直结构的半导体发光器件时，激光剥离设备比较昂贵，同时剥离工艺也比较复杂，成品率不高的问题，本实用新型实施例提供了一种半导体发光器件。所述技术方案如下：

本实用新型实施例提供了一种半导体发光器件，所述半导体发光器件包括：衬底、设于所述衬底上的外延层、以及设于所述外延层上的电极，所述衬底上开设有贯穿所述衬底的容置孔，所述容置孔内设有与所述外延层电性连接的导电件，所述外延层包括依次向上生长于所述衬底上的第一半导体层、发光层和第二半导体层，所述第一半导体层为N型层，所述第二半导体层为P型层。

在本实用新型实施例的一种实现方式中，所述衬底为蓝宝石衬底、硅衬底、碳化硅衬底或绝缘金属衬底。

在本实用新型实施例的另一种实现方式中，所述衬底为图形化衬底、蒸镀有分布式布拉格反射镜或全方位反射镜的衬底、倒三角形衬底或内置反光空腔的衬底。

在本实用新型实施例的另一种实现方式中，所述外延层还包括：设于所述衬底和所述第一半导体层之间的缓冲层。

在本实用新型实施例的另一种实现方式中，所述外延层还包括不掺杂层，所述不掺杂层位于所述缓冲层和所述衬底之间。

在本实用新型实施例的另一种实现方式中，所述容置孔的深度大于所述衬底的厚度。

在本实用新型实施例的另一种实现方式中，所述容置孔贯穿所述不掺杂层和所述缓冲层。

在本实用新型实施例的另一种实现方式中，所述导电件为金属导电件。

在本实用新型实施例的另一种实现方式中，所述半导体发光器件为发光二极管、激光二极管或超辐射发光二极管。

本实用新型实施例提供的技术方案带来的有益效果是：

通过在半导体发光器件的衬底上开设容置孔结构，并在该容置空中设置与外延层电连接的导电件，使得电流可以穿过不导电的衬底，从而直接制备出垂直结构的发光器件，成本较低，效率较高，制备过程简单，工艺稳定，适合大量生产。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本实用新型实施例提供的半导体发光器件的结构示意图。

具体实施方式

为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本实用新型实施方式作进一步地详细描述。

实施例

本实用新型实施例提出了一种半导体发光器件，参见图1，该半导体发光器件包括：衬底103、设于衬底103上的外延层102、以及设于外延层102上的电极101，衬底103上开设有贯穿该衬底103的容置孔104，该容置孔104内设有与外延层102电性连接的导电件，外延层102包括依次向上生长于衬底103上的第一半导体层107、发光层106和第二半导体层105，第一半导体层107为N型层，第二半导体层105为P型层。

在一种实现方式中，衬底103可以为蓝宝石衬底、硅衬底、碳化硅衬底或绝缘金属衬底。