[实用新型]半导体发光器件

权利要求书

1.一种半导体发光器件，所述半导体发光器件包括：衬底（103）、设于所述衬底（103）上的外延层（102）、以及设于所述外延层（102）上的电极（101），其特征在于，所述衬底（103）上开设有贯穿所述衬底（103）的容置孔（104），所述容置孔（104）内设有与所述外延层（102）电性连接的导电件，所述外延层（102）包括依次向上生长于所述衬底（103）上的第一半导体层（107）、发光层（106）和第二半导体层（105），所述第一半导体层（107）为N型层，所述第二半导体层（105）为P型层。 

2.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于，所述衬底（103）为蓝宝石衬底、硅衬底、碳化硅衬底或绝缘金属衬底。 

3.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于，所述衬底为图形化衬底、蒸镀有分布式布拉格反射镜或全方位反射镜的衬底、倒三角形衬底或内置反光空腔的衬底。 

4.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于，所述外延层（102）还包括：设于所述衬底（103）和所述第一半导体层（107）之间的缓冲层（108）。 

5.根据权利要求4所述的半导体发光器件，其特征在于，所述外延层还包括不掺杂层（109），所述不掺杂层（109）位于所述缓冲层（108）和所述衬底（103）之间。 

6.根据权利要求5所述的半导体发光器件，其特征在于，所述容置孔（104）的深度大于所述衬底（103）的厚度。 

7.根据权利要求6所述的半导体发光器件，其特征在于，所述容置孔（104）贯穿所述不掺杂层（109）和所述缓冲层（108）。 

8.根据权利要求1-7任一项所述的半导体发光器件，其特征在于，所述导电件为金属导电件。 

9.根据权利要求1-7任一项所述的半导体发光器件，其特征在于，所述半导体发光器件为发光二极管、激光二极管或超辐射发光二极管。