[实用新型]一种底部分离式碳化硅晶体生长用石墨坩埚有效
| 申请号： | 201320738809.5 | 申请日： | 2013-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN203807591U | 公开（公告）日： | 2014-09-03 |
| 发明（设计）人： | 高宇;邓树军;段聪;赵梅玉;陶莹 | 申请（专利权）人： | 河北同光晶体有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 杨立 |
| 地址： | 071000 河北省保定市北二*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种底部分离式碳化硅晶体生长用石墨坩埚，包括坩埚壁与坩埚底盖，所述坩埚壁与所述坩埚底盖相连接，且形成一封闭内腔，所述坩埚底盖的内壁上设有一层隔离层。本实用新型的坩埚壁与坩埚底盖可拆分，在晶体生长结束后，可以将坩埚底盖和坩埚壁很容易的分拆，不受底部沉积的晶体的影响，提高坩埚利用率，使清理坩埚工作得以简化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 底部 分离 碳化硅 晶体生长 石墨 坩埚 | ||
【主权项】：
一种底部分离式碳化硅晶体生长用石墨坩埚，其特征在于：包括坩埚壁与坩埚底盖，所述坩埚壁与所述坩埚底盖相连接，且形成一封闭内腔，所述坩埚底盖的内壁上设有一层隔离层。
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