[实用新型]一种底部分离式碳化硅晶体生长用石墨坩埚有效
| 申请号： | 201320738809.5 | 申请日： | 2013-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN203807591U | 公开（公告）日： | 2014-09-03 |
| 发明（设计）人： | 高宇;邓树军;段聪;赵梅玉;陶莹 | 申请（专利权）人： | 河北同光晶体有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 杨立 |
| 地址： | 071000 河北省保定市北二*** | 国省代码： | 河北;13 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 底部 分离 碳化硅 晶体生长 石墨 坩埚 | ||
【权利要求书】：
1.一种底部分离式碳化硅晶体生长用石墨坩埚，其特征在于：包括坩埚壁与坩埚底盖，所述坩埚壁与所述坩埚底盖相连接，且形成一封闭内腔，所述坩埚底盖的内壁上设有一层隔离层。
2.根据权利要求1所述的底部分离式碳化硅晶体生长用石墨坩埚，其特征在于：所述隔离层为石墨纸。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于河北同光晶体有限公司，未经河北同光晶体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201320738809.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种溶液微分静电纺丝喷头
- 下一篇：一种清除铜始极片上导电棒氧化层的装置
