[实用新型]一种底部分离式碳化硅晶体生长用石墨坩埚

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种底部分离式碳化硅晶体生长用石墨坩埚。 

背景技术

现有物理气相沉积法生长碳化硅单晶常见为上开盖的石墨坩埚，即石墨坩埚为底部封底，顶端开口的石墨圆筒，将原料放置在石墨坩埚底部，将粘有籽晶的坩埚盖安装在坩埚开口端。晶体生长完成后，坩埚底端的碳化硅结晶与坩埚粘接在一起难以取下，影响坩埚再次使用。 

物理气相沉积法生长SiC晶体过程中，装有碳化硅原料的坩埚被加热后，碳化硅原料在高温下升华，并在坩埚内温度相对略低的位置沉积。 

坩埚顶端籽晶位置和坩埚底部温度均低于原料高温区，都会发生气体沉积而形成整块晶体。沉积在坩埚底部的结晶物会与坩埚壁发生粘接或相互挤压，在晶体生长结束后很难去除，使坩埚无法清理干净甚至需要对坩埚进行物理破坏才能使坩埚与底部沉积的晶体分离，影响再次使用，使用成本较高，清理过程较为耗时。 

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是提供一种成本低、效率高、节约时间的底部分离式碳化硅晶体生长用石墨坩埚。 

本实用新型解决上述技术问题的技术方案如下：一种底部分离式碳化硅晶体生长用石墨坩埚，包括坩埚壁与坩埚底盖，所述坩埚壁与所述坩埚底盖相连接，且形成一封闭内腔，所述坩埚底盖的内壁上设有一层隔离层。 

本实用新型的有益效果是：本实用新型的坩埚壁与坩埚底盖可拆分，在 晶体生长结束后，可以将坩埚底盖和坩埚壁很容易的分拆，不受底部沉积的晶体的影响，提高坩埚利用率，使清理坩埚工作得以简化。不但使用效率提高，而且节省了成本。 

在上述技术方案的基础上，本实用新型还可以做如下改进。 

进一步，所述隔离层为石墨纸。 

附图说明

图1为本实用新型底部分离式碳化硅晶体生长用石墨坩埚的结构示意图； 

附图中，各标号所代表的部件列表如下： 

1、坩埚壁，2、坩埚底盖，3、隔离层， 4、籽晶， 5、碳化硅晶体， 6、剩余碳化硅原料， 7、坩埚底部结晶。 

具体实施方式

以下结合附图对本实用新型的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本实用新型，并非用于限定本实用新型的范围。 

一种底部分离式碳化硅晶体生长用石墨坩埚，如图1所示，包括坩埚壁1与坩埚底盖2，所述坩埚壁1与所述坩埚底盖2相连接，且形成一封闭内腔，所述坩埚底盖2的内壁上设有一层隔离层3。 

所述隔离层3为石墨纸。 

本实用新型坩埚底盖2与坩埚壁1为分体式，晶体生长结束后较易分离。且在坩埚底盖2的内壁上设有石墨纸作为隔离层3，晶体生长结束后，底部结晶与本实用新型坩埚更较易分离。 

图1中，标号4代表籽晶，标号5代表碳化硅晶体，标号6代表剩余碳化硅原料，标号7代表坩埚底部结晶。 

以上所述仅为本实用新型的较佳实施例，并不用以限制本实用新型，凡 在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。