[实用新型]半导体器件有效
| 申请号： | 201320687772.8 | 申请日： | 2013-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN203553152U | 公开（公告）日： | 2014-04-16 |
| 发明（设计）人： | 林敏之;陈铭;陈伟;韩继国;王举贵 | 申请（专利权）人： | 上海贝岭股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京金信立方知识产权代理有限公司 11225 | 代理人： | 刘锋;黄小栋 |
| 地址： | 200233 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括衬底、形成于所述衬底上的绝缘层和依次形成于所述绝缘层上的至少第一金属互连层和第二金属互连层，所述金属互连层之间间隔有绝缘物质，所述半导体器件具备有源区和非有源区，所述非有源区中形成有至少一个平板电容。本实用新型通过将平板电容集成到半导体器件内部并连接到半导体器件的输入或输出端，来实现对半导体器件的输入或输出阻抗到目标阻抗的匹配，从而避免了工艺的波动对半导体器件性能的稳定性与可靠性的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括衬底、形成于所述衬底上的绝缘层和依次形成于所述绝缘层上的至少第一金属互连层和第二金属互连层，所述金属互连层之间间隔有绝缘物质，所述半导体器件具备有源区和非有源区，其特征在于，所述非有源区中形成有至少一个平板电容。
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