[实用新型]半导体器件有效
| 申请号： | 201320687772.8 | 申请日： | 2013-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN203553152U | 公开（公告）日： | 2014-04-16 |
| 发明（设计）人： | 林敏之;陈铭;陈伟;韩继国;王举贵 | 申请（专利权）人： | 上海贝岭股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京金信立方知识产权代理有限公司 11225 | 代理人： | 刘锋;黄小栋 |
| 地址： | 200233 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
1.一种半导体器件，包括衬底、形成于所述衬底上的绝缘层和依次形成于所述绝缘层上的至少第一金属互连层和第二金属互连层，所述金属互连层之间间隔有绝缘物质，所述半导体器件具备有源区和非有源区，其特征在于，所述非有源区中形成有至少一个平板电容。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述平板电容包括互相平行的第一金属层和第二金属层，所述第一金属层为在形成所述第一金属互连层的刻蚀工序中通过调整刻蚀版图而保留在所述非有源区中的一部分金属，所述第二金属层为在形成所述第二金属互连层的刻蚀工序中通过调整刻蚀版图而保留在所述非有源区中的一部分金属。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第二金属层的投影与位于第二金属层下方的所述第一金属层有重叠区域，所述第一金属层在所述重叠区域之外的部分的上表面包括不覆盖非气态绝缘物质的第一区域，在所述第一区域设置有第一引脚。
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述第一引脚与所述半导体器件的封装引脚中的接地引脚相连，所述第二金属层与所述半导体器件的封装引脚中的输入引脚或输出引脚相连。
5.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述第一引脚与所述半导体器件的封装引脚中的输入引脚或输出引脚相连，所述第二金属层保持电位浮空或者与所述半导体器件的封装引脚中的预定引脚相连。
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