[实用新型]一种IGBT去米勒效应装置有效
| 申请号： | 201320634822.6 | 申请日： | 2013-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN203481816U | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | 刘文士 | 申请（专利权）人： | 刘文士 |
| 主分类号： | H02H9/04 | 分类号： | H02H9/04 |
| 代理公司： | 济宁宏科利信专利代理事务所 37217 | 代理人： | 樊庆年 |
| 地址： | 272000 山东省济宁*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 种IGBT去米勒效应装置，电阻R1的一端与IGBT开通电阻RON、P型开关管T的G极相连，另一端与电阻RE相连。IGBT开通电阻RON的另一端与P型开关管T的E极、IGBT的G极相连，电阻RE的另一端与P型开关管T的C极、IGBT的E极相连，P型开关管为PNP型三极管或P型CMOS管，电阻RE的阻值为0-100欧姆。一般IGBT驱动使用双向稳压二极管抑制驱动电路中产生的尖峰脉冲，大功率的IGBT驱动电路为了防止米勒效应产生的电压经常在G－E之间加一小容量电容，以吸收电压的突变。本实用新型整体结构简单，操作使用方便，稳定性好，可靠性高，适用性较强。使用本实用新型，可以防止误钳位导致IGBT不能正常工作或损坏的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 igbt 米勒 效应 装置 | ||
【主权项】：
一种IGBT去米勒效应装置，其特征在于电阻R1的一端与IGBT开通电阻RON、P型开关管T的G极相连，另一端与电阻RE相连；IGBT开通电阻RON的另一端与P型开关管T的E极、IGBT的G极相连，电阻RE的另一端与P型开关管T的C极、IGBT的E极相连，P型开关管为PNP型三极管或P型CMOS管，电阻RE的阻值为0‑100欧姆。
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