[实用新型]一种IGBT去米勒效应装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种大功率IGBT驱动电路，特别是涉及一种IGBT去米勒效应装置。

技术背景

绝缘栅双极晶体管IGBT常用驱动电路采用的保护措施，是使用双向稳压二极管抑制驱动电路中产生的尖峰脉冲，大功率的IGBT驱动电路为了防止米勒效应产生的电压经常在G－E之间加一小容量电容，以吸收电压的突变。稳压二极管的稳定电压值一般要比门极电压要高出几伏，防止误钳位导致IGBT不能正常工作或损坏。还有稳压二极管的稳压速度也不能对微秒的尖峰电压进行吸收，即在高频进行时吸收速度跟不上。在G－E间加上电容虽然可以减少米勒效应的影响，但是每次IGBT开通和关断时电容都在起作用，使IGBT的开通和关断时间变长，直接影响到IGBT的开通和关断损耗，并增加了驱动电路的功耗。

实用新型内容

本实用新型的目的在于，克服现有技术的不足之处，提供一种IGBT去米勒效应装置，在门极驱动电路中加入一个开关管对门极电压进行钳位，快速的将米勒效应产生的电压进行抑制，并且不用增加IGBT的开通和关断损耗，减少IGBT驱动电路的输出功率。

    本实用新型所述的一种IGBT去米勒效应装置，电阻R1的一端与IGBT开通电阻RON、P型开关管T的G极相连，另一端与电阻RE相连。IGBT开通电阻RON的另一端与P型开关管T的E极、IGBT的G极相连，电阻RE的另一端与P型开关管T的C极、IGBT的E极相连，P型开关管为PNP型三极管或P型CMOS管，电阻RE的阻值为0-100欧姆。一般IGBT驱动使用双向稳压二极管抑制驱动电路中产生的尖峰脉冲，大功率的IGBT驱动电路为了防止米勒效应产生的电压经常在G－E之间加一小容量电容，以吸收电压的突变。稳压二极管的稳定电压值一般要比门极电压要高出几伏，防止误钳位导致IGBT不能正常工作或损坏。还有稳压二极管的稳压速度也不能对U秒的尖峰电压进行吸收，即吸收速度跟不上。在G－E门加上电容虽然可以减少米勒效应的影响，但是每次IGBT开通和关断是电容都在起作用，使IGBT的开通和判断时间变长，直接影响到IGBT的开通和关断损耗，并增加了驱动电路的功耗。大功率IGBT在设备出现外部故障或比较大的电流，在关断时会产生米勒效应，致使门极电压升高，如果驱动电路没有相应的保护会使IGBT不能有效关断或门极电压高于要求的极限值而损坏。

    本实用新型所述一种IGBT去米勒效应装置，整体结构简单，操作使用方便，稳定性好，可靠性高。使用本实用新型所述的一种IGBT去米勒效应装置，可以防止误钳位导致IGBT不能正常工作或损坏的问题。

附图说明

附图1是本实用新型所述一种IGBT去米勒效应装置的去米勒效应电路图。

具体实施方式

现参照附图1，结合实施例说明如下：本实用新型所述的一种IGBT去米勒效应装置，电阻R1的一端与IGBT开通电阻RON、P型开关管T的G极相连，另一端与电阻RE相连。IGBT开通电阻RON的另一端与P型开关管T的E极、IGBT的G极相连，电阻RE的另一端与P型开关管T的C极、IGBT的E极相连，P型开关管为PNP型三极管或P型CMOS管，电阻RE的阻值为0-100欧姆。一般IGBT驱动使用双向稳压二极管抑制驱动电路中产生的尖峰脉冲，大功率的IGBT驱动电路为了防止米勒效应产生的电压经常在G－E之间加一小容量电容，以吸收电压的突变。稳压二极管的稳定电压值一般要比门极电压要高出几伏，防止误钳位导致IGBT不能正常工作或损坏。还有稳压二极管的稳压速度也不能对U秒的尖峰电压进行吸收，即吸收速度跟不上。在G－E门加上电容虽然可以减少米勒效应的影响，但是每次IGBT开通和关断是电容都在起作用，使IGBT的开通和判断时间变长，直接影响到IGBT的开通和关断损耗，并增加了驱动电路的功耗。大功率IGBT在设备出现外部故障或比较大的电流，在关断时会产生米勒效应，致使门极电压升高，如果驱动电路没有相应的保护会使IGBT不能有效关断或门极电压高于要求的极限值而损坏。在IGBT大电流关断时产生米勒效应，致使IGBT的G极E间电压上升，由于关断是由驱动电路输出的驱动电压变低或者是负的电压，米勒电压加到GE上后电压会通过RON流到驱动电源中，这时由于RON中有电流流过，使RON两端产生电压差，当压差达到0.5V左右时开关管就会导通，GE间的正向电压会通过开关管直接短接放掉。这样就把米勒效应电压消除，保护IGBT有效关断。在IGBT正常开通和关断时，开关管不会开通，对原有驱动电路没有影响。本实用新型涉及一IGBT去米勒效应装置，所述电路为一个三极管和三个电阻。本实用新型可以去除大功率IGBT关断时由于米勒效应产生的电压，防止IGBT由于米勒效应导致门极电压过高，使IGBT不能有效关断，致使IGBT损坏的现象。使门极上由米勒效应产生的电压直接泄放掉，保证IGBT可靠关断。本实用新型所述一种IGBT去米勒效应装置，整体结构简单，操作使用方便，稳定性好，可靠性高。使用本实用新型所述的一种IGBT去米勒效应装置，可以防止误钳位导致IGBT不能正常工作或损坏的问题。本系统中的元件均为通用型器件，对比原有系统不会增加很多成本，适用性较强。