[实用新型]一种IGBT去米勒效应装置有效

专利信息
申请号: 201320634822.6 申请日: 2013-10-15
公开(公告)号: CN203481816U 公开(公告)日: 2014-03-12
发明(设计)人: 刘文士 申请(专利权)人: 刘文士
主分类号: H02H9/04 分类号: H02H9/04
代理公司: 济宁宏科利信专利代理事务所 37217 代理人: 樊庆年
地址: 272000 山东省济宁*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 一种 igbt 米勒 效应 装置
【权利要求书】:

1.一种IGBT去米勒效应装置,其特征在于电阻R1的一端与IGBT开通电阻RON、P型开关管T的G极相连,另一端与电阻RE相连;IGBT开通电阻RON的另一端与P型开关管T的E极、IGBT的G极相连,电阻RE的另一端与P型开关管T的C极、IGBT的E极相连,P型开关管为PNP型三极管或P型CMOS管,电阻RE的阻值为0-100欧姆。

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