[实用新型]一种IGBT去米勒效应装置有效
申请号: | 201320634822.6 | 申请日: | 2013-10-15 |
公开(公告)号: | CN203481816U | 公开(公告)日: | 2014-03-12 |
发明(设计)人: | 刘文士 | 申请(专利权)人: | 刘文士 |
主分类号: | H02H9/04 | 分类号: | H02H9/04 |
代理公司: | 济宁宏科利信专利代理事务所 37217 | 代理人: | 樊庆年 |
地址: | 272000 山东省济宁*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 igbt 米勒 效应 装置 | ||
【权利要求书】:
1.一种IGBT去米勒效应装置,其特征在于电阻R1的一端与IGBT开通电阻RON、P型开关管T的G极相连,另一端与电阻RE相连;IGBT开通电阻RON的另一端与P型开关管T的E极、IGBT的G极相连,电阻RE的另一端与P型开关管T的C极、IGBT的E极相连,P型开关管为PNP型三极管或P型CMOS管,电阻RE的阻值为0-100欧姆。
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