[实用新型]用于集成电路中的器件有效
| 申请号： | 201320625002.0 | 申请日： | 2013-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN204088325U | 公开（公告）日： | 2015-01-07 |
| 发明（设计）人： | N·劳贝特;P·卡雷;柳青 | 申请（专利权）人： | 意法半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本实用新型的实施例公开了一种用于集成电路中的器件，所述器件包括：嵌入的氧化物区域，具有在其之上的保形氮化物层；以及硅化合物的无分面的外延生长的区域，与所述嵌入的氧化物区域相邻。本文呈现的一种这样的技术是用SiN对隔离沟槽加衬以使得SiN衬垫提供在氧化物与其中将外延生长的区域之间的屏障。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 集成电路 中的 器件 | ||
【主权项】：
一种用于集成电路中的器件，其特征在于，所述器件包括： 嵌入的氧化物区域，具有在其之上的保形氮化物层；以及 硅化合物的无分面的外延生长的区域，与所述嵌入的氧化物区域相邻。
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