[实用新型]用于集成电路中的器件有效
| 申请号： | 201320625002.0 | 申请日： | 2013-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN204088325U | 公开（公告）日： | 2015-01-07 |
| 发明（设计）人： | N·劳贝特;P·卡雷;柳青 | 申请（专利权）人： | 意法半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 集成电路 中的 器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种用于集成电路中的器件，其特征在于，所述器件包括：
嵌入的氧化物区域，具有在其之上的保形氮化物层；以及
硅化合物的无分面的外延生长的区域，与所述嵌入的氧化物区域相邻。
2.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述嵌入的氧化物区域是隔离沟槽并且保形氮化物层是氮化硅沟槽衬垫。
3.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，保形氮化物层的厚度在3nm-12nm的范围内。
4.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述外延硅化合物是锗化硅。
5.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述外延硅化合物是碳化硅。
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