[实用新型]一种梯度磁场中零磁场点位置的检测装置有效
| 申请号： | 201320571511.X | 申请日： | 2013-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN203465406U | 公开（公告）日： | 2014-03-05 |
| 发明（设计）人： | 皮仕强;何乐;余尚儒;郭斯琳 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | G01R33/02 | 分类号： | G01R33/02;G01R33/07 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 朱仁玲 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种梯度磁场中零磁场点位置的检测装置，该检测装置包括由第一部分和第二部分构成的印刷电路板，所述印刷电路板的第一部分的平面上阵列式分布有磁开关形成磁开关阵列，所述印刷电路板的第二部分的平面上阵列式分布有发光二极管形成发光二极管阵列，所述磁开关与所述发光二极管的数量相同，所述磁开关阵列中的磁开关与所述发光二级管阵列中对应位置处的发光二极管分别串联连接。通过上述检测装置可以方便、直观的观测梯度磁场中零磁场点的区域分布。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 梯度 磁场 位置 检测 装置 | ||
【主权项】：
一种梯度磁场零磁场点检测装置，其特征在于，该检测装置包括由第一部分和第二部分构成的印刷电路板，所述印刷电路板的第一部分的平面上阵列式分布有磁开关形成磁开关阵列，所述印刷电路板的第二部分的平面上阵列式分布有发光二极管形成发光二极管阵列，所述磁开关与所述发光二极管的数量相同，所述磁开关阵列中的磁开关与所述发光二级管阵列中对应位置处的发光二极管分别串联连接。
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