[实用新型]一种梯度磁场中零磁场点位置的检测装置有效

专利信息
申请号: 201320571511.X 申请日: 2013-09-13
公开(公告)号: CN203465406U 公开(公告)日: 2014-03-05
发明(设计)人: 皮仕强;何乐;余尚儒;郭斯琳 申请(专利权)人: 华中科技大学
主分类号: G01R33/02 分类号: G01R33/02;G01R33/07
代理公司: 华中科技大学专利中心 42201 代理人: 朱仁玲
地址: 430074 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 一种 梯度 磁场 位置 检测 装置
【说明书】:

技术领域

实用新型属于磁测量技术领域,更具体地,涉及一种梯度磁场中零磁场点位置的检测装置。

背景技术

2005年,德国的两位科学家Gleich与Weizenecker在Nature上发表了名为“Tomographic imaging using the nonlinear response of magnetic particles”的文章,介绍了一种新的获取高分辨率的成像方法,即磁性粒子成像(Magnetic Particle Imaging,MPI)。磁纳米粒子成像主要基于磁纳米粒子的超顺磁性,当磁纳米粒子处于零磁场点时,其磁化响应包含丰富的奇次谐波信息;当磁纳米粒子处于饱和磁场区时,其磁化响应各次谐波幅值为零。因此,若想获得某一点的谐波信息,只需保证该点磁纳米粒子处于零磁场点而使其他位置的磁纳米粒子处于饱和磁场区。

然而,目前还没有专门的检测装置来测量梯度磁场零磁场点的位置。

实用新型内容

针对现有技术的以上缺陷或改进需求,本实用新型提供了一种梯度磁场零磁场点检测装置,从而能够方便、直观的观测梯度磁场中零磁场点的区域分布。

本实用新型提供了一种梯度磁场零磁场点检测装置,该检测装置包括由第一部分和第二部分构成的印刷电路板,所述印刷电路板的第一部分的平面上阵列式分布有磁开关形成磁开关阵列,所述印刷电路板的第二部分的平面上阵列式分布有发光二极管形成发光二极管阵列,所述磁开关与所述发光二极管的数量相同,所述磁开关阵列中的磁开关与所述发光二级管阵列中对应位置处的发光二极管分别串联连接。

上述利用磁开关和发光二极管构建的梯度磁场中零磁场点的检测装置,将其放置于梯度磁场内时,位于零磁场点处的磁开关和非零磁场点处的磁开关闭合和断开状态正好相反,所以与磁开关相连接的发光二极管的发光状态也正好相反,即磁开关闭合则与其相连的发光二极管导通发光,磁开关断开则与其相连的发光二极管断开熄灭,从而通过发光二极管的发光与熄灭的区域分布可以得到梯度磁场中零磁场点的区域分布,通过上述检测装置可以方便、直观的观测梯度磁场中零磁场点的区域分布。

优选地,所述磁开关为干簧管。

以干簧管作为磁开关的电路结构简单并且成本较低。

优选地,所述印刷电路板第一部分的平面与需要检测的磁场的梯度场轴向成一夹角以避免梯度场轴向的磁场与干簧管轴向垂直,处于零磁场点附近的干簧管断开,发光二极管熄灭,而远离零磁场点的干簧管闭合,发光二极管发光。

优选地,所述磁开关为全极性霍尔开关。

由于全极性霍尔开关可和各种逻辑电路直接接口,因此,可以进一步的用移位寄存器将并行数据转为串行数据,方便数据采集以实现零磁场区域在电脑上显示。

附图说明

图1为本实用新型所提供的检测装置的结构示意图;

图2为本实用新型所提供的检测装置在±321Gs磁场中的检测结果示意图;

图3为本实用新型所提供的检测装置在-321Gs和350Gs磁场中的检测结果示意图;

图4为本实用新型所提供的检测装置在-321Gs和400Gs磁场中的检测结果示意图;

图5为本实用新型所提供的检测装置在-321Gs和500Gs磁场中的检测结果示意图;

图6为本实用新型所提供的检测装置在-321Gs和900Gs磁场中的检测结果示意图。

具体实施方式

为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型,并不用于限定本实用新型。此外,下面所描述的本实用新型各个实施方式中所涉及到的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互组合。

如图1所示,本实用新型提供了一种梯度磁场零磁场点检测装置,该检测装置包括由第一部分和第二部分构成的印刷电路板,所述印刷电路板的第一部分的平面上阵列式分布有磁开关形成磁开关阵列,所述印刷电路板的第二部分的平面上阵列式分布有发光二极管形成发光二极管阵列,所述磁开关与所述发光二极管的数量相同,所述磁开关阵列中的磁开关与所述发光二级管阵列中对应位置处的发光二极管分别串联连接。

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