[实用新型]具有阳极壳体的磁控管溅射刻蚀设备

摘要

本实用新型涉及具有阳极壳体的磁控管溅射刻蚀设备。本实用新型涉及一种用于借助溅射工艺进行刻蚀的设备，并且尤其是涉及一种这样构造的阳极壳体，其妨碍刻蚀引起的等离子体离开壳体。这种设备的应用例如适合于在真空中对如金属带之类的衬底进行预处理，为此表明一种设施。根据克服现有技术中的缺点的目标，本实用新型的任务是提出一种用于磁控管溅射刻蚀的设备，其抑制等离子体的烧掉。本实用新型的特征在于，暗场屏蔽（1）的至少一部分可运动，使得可调节衬底距离（8）。

主权项

一种用于磁控管溅射刻蚀的设备，其在用于以直通方法处理带形衬底（5）的设施之内，其在真空中，所述设备被布置成衬底（5）的两个表面，使得在被称为刻蚀面（10）的第一要处理的表面上设置阳极壳体（1,2），并且 在被称为对接面的与衬底（5）上的刻蚀面对置的第二表面上设置磁体装置（4）， 磁体装置（4）构造贯穿衬底（5）的磁场，使得由磁场线构成的环绕闭合的隧道被施加在刻蚀面（10）上方， 阳极壳体（1,2）具有至少一个被实施为金属导体的带有阳极电势（11）的阳极（2）和覆盖阳极和刻蚀面（10）的暗场屏蔽（1）， 在衬底（5）上以及在暗场屏蔽（1）上设置至少部分附上的阴极电势（12），以及 暗场屏蔽（1）到达衬底（5）上地被实施在该设备的至少一个输入侧的和/或输出侧的衬底通流口上以及横向于其传送方向（9）地被布置，使得在刻蚀面（10）与暗场屏蔽（1）之间的衬底距离（8）被预给定， 其特征在于， 暗场屏蔽（1）的至少一部分能运动，使得能调节衬底距离（8）， 装置（14,15）被设置为使得衬底距离（8）根据衬底（5）的位置能被减小到可预给定的最小距离， 装置（14,15）具有至少一个测量装置（14）和提升装置（15），利用所述测量装置（14）能检测到衬底（5）相对于该设备的至少一部分的位置，该设备的至少一个部分能与所述提升装置（15）一起运动，以及 借助提升装置（15），暗场屏蔽（1）能运动。