[实用新型]具有阳极壳体的磁控管溅射刻蚀设备

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种用于借助溅射工艺进行刻蚀的设备，并且尤其是一种这样构造的阳极壳体，所述壳体妨碍刻蚀引起的等离子体离开该壳体。这种设备的应用例如适合于在真空中预处理如金属带之类的衬底，为此表明一种设施（Anlage）。

背景技术

用于溅射的方法和设备充分公知，并且也是这种方法和设备：所述方法和设备在刻蚀过程的意义上特意（im Zweck）追踪衬底表面层的剥蚀（Abtrag）。在工艺上所基于的如下原理可被用于均匀地涂层以及刻蚀：在真空中比较重的例如氩原子朝向固体表面加速并且从其中似乎打落原子或者分子。

磁控管溅射要被理解为：对于所述的加速通常设置施加在阴极与阳极之间的电场。此外，磁体装置在阴极的区域中负责提高如电离原子之类的载流子的浓度，由此紧挨着磁体装置发生所述的打落。因此，不仅存在提高浓度的载流子。也通过类似环地实施磁场，电子被俘获在闭合的轨迹上，这附加地提高该区域中的浓度并且通过碰撞在那导致相对应高的离子浓度。这样的情况导致构造等离子。

此处在概念上通常提及刻蚀、溅射刻蚀和尤其是磁控管溅射刻蚀。确切地涉及磁场支持的低压等离子体处理。处理的概念在此要被理解为使得根据在处理过程中附入的一个或多个气体进行衬底表面上的非反应性或者反应性过程。通常，如氩之类的惰性气体被用作所谓的工作气体。如果给其添加其他反应性气体（称为过程气体或者反应性气体）、诸如氧气，则涉及反应性过程。那么常见的是利用概念等离子体刻蚀。

在区分溅射刻蚀与溅射涂层中，除了从涂层材料（也为目标）打落以为还进行：涂层材料蒸汽状传输地凝聚成衬底上的冷凝水。在刻蚀时仅仅进行在衬底表面上的打落，由此衬底例如可从氧化层释放。

因此，如此处描述地那样公知设备：所述设备按照磁控管溅射刻蚀器的原理工作来使得衬底的涂层也随着刻蚀而出现。例如，反应性气体的在等离子体中形成的分解产品有助于层形成，对此被理解为称呼CVD（化学气相沉积（Chemical Vapor Deposition））。这样的装置此处应一起被理解为概念“磁控管溅射刻蚀器”。关于在其下采用这种磁控管溅射刻蚀器的压力，首先真空合适，但是这不是一定必需的。

典型的例子是金属带的涂层。金属带（尽可能生满轻薄氧化层地）在涂层设施中连续被混入，这意味着，该金属带相继被真空包围。在产品起决定性的涂层之前，对于良好的层附着需要去除氧化层。磁控管溅射刻蚀器为此被设置在真空环境中，并且位于涂层装置之前地被布置在真空环境中。

前面描述的磁控管溅射刻蚀器首先从DD120474A1中公知并且也是最接近的现有技术，对此还详细地探讨。

根据前序部分所述的刻蚀设备要从三篇下面阐明的出版文献得知。但是，这些出版文献不是深入研究本实用新型的解决需求，并且也没有表明所寻求的问题排除，因为没有进一步探讨阳极箱（Anodenkasten）的构造。

从EP0879879B2中公知了一种用于使衬底、尤其是钢板烧红的连续方法。在穿越衬底的大气压中，被施加到整个衬底宽度上方的所谓的冷等离子体被构造，其中最后在穿越等离子体放电时应用衬底的再结晶加热。要从唯一的图中得知：除了其给衬底加壳和经由两个缝隙通过衬底以外，与方法相关的设备的壳体没有经历到其他特定的表现方案（Auspraegung）。即使在US6,933,460B2中也同样地表现。

即使两篇出版文献表明等离子体刻蚀器的设备，但是也没有关于阳极壳体的实际启示源于WO2008/055617和DE102004012848A1。

返回到DD120474A1，优选地在金属带衬底之上布置平面的磁控管并且给衬底加载阴极电势或者通常加载接地电势。在衬底的下侧上构造等离子体，该等离子体通过具有在阳极电势上的内壁和在接地上的外壁的双壁壳体而被包围。

此处已经表明，以法兰方式实施用于穿越衬底的缝隙；参见DD120474A1的图1。因此，在设备的在两侧的衬底传送方向上，施加短隧道（Tunnel）。

在DE102007004760A1中表明一种磁控管溅射设备，该磁控管溅射设备在结构上与前面描述的溅射或者等离子体刻蚀装置相同。但是，该解决方案中的焦点不在于从衬底剥蚀层或将层涂覆到衬底上。借助所设置的前驱体（Precursor）可以制造可具有元素Si、C和O的层。这可给附上此处要寻求的解决方案没有设法获得任何启示。