[实用新型]电荷流元件、电荷留置电路和集成电路芯片有效
| 申请号： | 201320428471.3 | 申请日： | 2013-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN203444766U | 公开（公告）日： | 2014-02-19 |
| 发明（设计）人： | F·玛里内特;P·福尔纳拉 | 申请（专利权）人： | 意法半导体(鲁塞)公司 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;张宁 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 一种电荷流元件包括在绝缘支撑物上的第一电极、电介质层和第二电极的堆叠，该电介质层具有能够通过隧道效应让电荷流动的至少一个部分，其中电极中的至少一个电极由未掺杂多晶硅制成。本实用新型还涉及包含所述电荷流元件的电荷留置电路和集成电路芯片。 | ||
| 搜索关键词： | 电荷 元件 留置 电路 集成电路 芯片 | ||
【主权项】：
一种电荷流元件，其特征在于，包括在绝缘支撑物上的第一电极、电介质层和第二电极的堆叠，所述电介质层具有能够通过隧道效应让电荷流动的至少一个部分，其中所述电极中的至少一个电极由未掺杂多晶硅制成。
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